[發明專利]一種工藝盤找正方法、工藝盤找正裝置和半導體加工設備有效
| 申請號: | 201910994363.4 | 申請日: | 2019-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN110592560B | 公開(公告)日: | 2022-02-22 |
| 發明(設計)人: | 馮旭初;高建強 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 工藝 盤找正 方法 裝置 半導體 加工 設備 | ||
1.一種工藝盤找正方法,用于進行化學氣相沉積工藝的設備,其特征在于,包括:
S1,控制所述工藝盤以第一預設轉速沿第一方向旋轉;
S2,在檢測到所述工藝盤上的定位結構時,控制所述工藝盤減速,直至停止旋轉,并再次控制所述工藝盤沿與上一次旋轉方向相反的方向旋轉,且旋轉速度小于上一次的旋轉速度;
S3,循環執行步驟S2;
S4,在所述工藝盤的旋轉速度下降到小于等于第二預設轉速且再次檢測到所述定位結構時,控制所述工藝盤立即停止;
所述步驟S2還包括:
在所述工藝盤旋轉超過第一預設角度且還未檢測到所述定位結構時,控制所述工藝盤減速,直至停止旋轉,并再次控制所述工藝盤沿與上一次旋轉方向相反的方向旋轉,且旋轉速度小于上一次的旋轉速度。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制所述工藝盤立即停止,包括:
控制所述工藝盤以最大制動角加速度進行減速直至停止。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一預設角度為360°。
4.根據權利要求1至3中任意一項所述的方法,其特征在于,在步驟S1之前,還包括:
S0,在所述工藝盤未開始旋轉即可檢測到所述定位結構時,控制所述工藝盤沿與所述第一方向相反的第二方向旋轉第二預設角度。
5.一種工藝盤找正裝置,用于進行化學氣相沉積工藝的設備,其特征在于,包括:控制器、傳感器、驅動器,其中,
所述驅動器用于驅動工藝盤旋轉,還用于使所述工藝盤停止旋轉;
所述傳感器用于檢測所述工藝盤上的定位結構;
所述控制器與所述驅動器、所述傳感器連接,用于控制所述驅動器驅動所述工藝盤以第一預設轉速沿第一方向旋轉;
所述控制器還用于循環地在所述傳感器檢測到所述工藝盤上的定位結構時,控制所述驅動器使所述工藝盤減速,直至停止旋轉,并再次控制所述驅動器驅動所述工藝盤沿與上一次旋轉方向相反的方向旋轉,且旋轉速度小于上一次的旋轉速度;
所述控制器還用于在所述工藝盤的旋轉速度下降到小于等于第二預設轉速且所述傳感器再次檢測到所述定位結構時,控制所述驅動器使所述工藝盤立即停止;
所述控制器還用于循環地在所述工藝盤旋轉超過預定角度且所述傳感器還未檢測到所述定位結構時,控制所述驅動器使所述工藝盤減速,直至停止旋轉,并再次控制所述驅動器驅動所述工藝盤沿與上一次旋轉方向相反的方向旋轉,且旋轉速度小于上一次的旋轉速度。
6.根據權利要求5所述的裝置,其特征在于,所述控制器還用于在所述工藝盤的旋轉速度下降到小于等于第二預設轉速且所述傳感器再次檢測到所述定位結構時,控制所述驅動器使所述工藝盤以最大制動角加速度進行減速直至停止。
7.根據權利要求5或6所述的裝置,其特征在于,所述控制器還用于在所述工藝盤未開始旋轉所述傳感器即可檢測到所述定位結構時,控制所述驅動器驅動所述工藝盤沿與所述第一方向相反的第二方向旋轉第二預設角度。
8.一種半導體加工設備,包括工藝腔和設置在所述工藝腔內的工藝盤,所述工藝盤能夠旋轉,且所述工藝盤上設置有定位結構,其特征在于,還包括如權利要求5至7中任意一項所述的工藝盤找正裝置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京北方華創微電子裝備有限公司,未經北京北方華創微電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910994363.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種顯示屏線路保護裝置及方法
- 下一篇:一種化學鍍鎳廢液的處理方法
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





