[發明專利]膜層及其沉積方法、半導體結構及其形成方法在審
| 申請號： | 201910994023.1 | 申請日： | 2019-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN110724932A | 公開（公告）日： | 2020-01-24 |
| 發明（設計）人： | 李遠博;胡凱;李遠;萬先進;孫祥烈;周烽 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | C23C16/34 | 分類號： | C23C16/34;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/02 |
| 代理公司： | 31294 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 董琳;陳麗麗 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 膜層 副產物 介質層表面 反應氣體 前驅氣體 半導體器件結構 半導體制造技術 化學反應 半導體結構 結構穩定性 膜層沉積 介質層 沉積 夾雜 良率 正向 摻雜 傳輸 覆蓋 | ||
1.一種膜層沉積方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一介質層；
傳輸前驅氣體和反應氣體至所述介質層表面，形成覆蓋于所述介質層表面的膜層和副產物；
除去所述副產物，推動所述前驅氣體與所述反應氣體之間的化學反應正向進行。
2.根據權利要求1所述的膜層沉積方法，其特征在于，形成覆蓋于所述介質層表面的膜層和副產物的具體步驟包括：
傳輸前驅氣體至所述介質層表面，所述前驅氣體與所述介質層反應，以吸附于所述介質層表面；
傳輸反應氣體至所述介質層表面，所述反應氣體與所述前驅氣體反應，生成覆蓋于所述介質層表面的膜層和副產物。
3.根據權利要求1所述的膜層沉積方法，其特征在于，除去所述副產物的具體步驟包括：
傳輸輔助氣體至所述介質層表面，所述輔助氣體與所述副產物反應，以除去所述副產物。
4.根據權利要求3所述的膜層沉積方法，其特征在于，所述輔助氣體與所述副產物反應生成的產物均為揮發性產物。
5.根據權利要求3所述的膜層沉積方法，其特征在于，還包括如下步驟：
檢測所述膜層的純度；
根據所述膜層的純度調整傳輸至所述介質層表面的所述輔助氣體的速率。
6.根據權利要求1所述的膜層沉積方法，其特征在于，所述膜層為粘附層，用于連接所述介質層與所述膜層表面的功能材料層。
7.根據權利要求6所述的膜層沉積方法，其特征在于，所述前驅氣體為四氯化鈦，所述反應氣體為氨氣，所述輔助氣體為氧化劑，所述膜層為氮化鈦層。
8.根據權利要求7所述的膜層沉積方法，其特征在于，所述氧化劑為二氟化氙。
9.一種膜層，其特征在于，采用如權利要求1-8中任一項所述的方法形成。
10.一種半導體結構，其特征在于，包括：
基底，所述基底表面具有介質層；
膜層，覆蓋于所述介質層表面，所述膜層采用如權利要求1-8中任一項所述的膜層沉積方法形成。
11.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供一基底，所述基底表面具有介質層；
采用如權利要求1-8中任一項所述的膜層沉積方法形成膜層于所述介質層表面。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
