[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201910993965.8
• 申請日: 2019-10-18
• 公開（公告）號: CN111092114B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 陳則;清水和宏
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

防止Ic(break)的降低，并且維持靜態耐壓的穩定性。半導體裝置具備阱區域(5)、緩沖區域(7)、絕緣膜(108B、9B)、電極(8B)、電場緩和構造(10)。緩沖區域的雜質濃度隨著從有源區遠離而變小。電極的端部與緩沖區域的端部相比，位于接近有源區的位置。電場緩和構造具備多個RESURF層(6subgt;1/subgt;、6subgt;2/subgt;、6subgt;3/subgt;、…6subgt;n/subgt;)，該多個RESURF層(6subgt;1/subgt;、6subgt;2/subgt;、6subgt;3/subgt;、…6subgt;n/subgt;)在俯視觀察中各自包圍緩沖區域，并且形成于半導體襯底的表層。

技術領域

本申請說明書所公開的技術涉及半導體裝置及半導體裝置的制造方法。

背景技術

以往，提出了如下半導體裝置的結構，即，通過將多個RESURF層設置于在俯視觀察中包圍與形成元件構造的有源區對應的單元部的終端部，從而對靜態耐壓施加期間的電場集中進行抑制(例如，參照專利文獻1及專利文獻2)。

但是，在這樣的結構中，為了防止產生元件破壞的電流值(下面，稱為Ic(break))的降低，需要將用于形成RESURF層的雜質注入量(下面，稱為RESURF注入量)提高至接近允許范圍的上限。于是，終端部的外緣部附近的電場會變高。即，通過提高RESURF注入量，有時半導體裝置的靜態耐壓變得不穩定。

專利文獻1：日本專利第5784242號公報

專利文獻2：日本專利第5640969號公報

如上所述，例如在專利文獻1或專利文獻2所公開的技術中，存在不能夠防止Ic(break)的降低，并且維持半導體裝置的靜態耐壓的穩定性這樣的問題。

發明內容

本申請說明書所公開的技術就是為了解決以上所記載那樣的問題而提出的，其目的在于提供能夠防止Ic(break)的降低，并且維持半導體裝置的靜態耐壓的穩定性的技術。

本申請說明書所公開的技術的第1方式具備：第1導電型半導體襯底；第2導電型阱區域，其在俯視觀察中包圍在所述半導體襯底的表層形成元件構造的區域即有源區，并且形成于所述半導體襯底的表層；第2導電型緩沖區域，其在俯視觀察中包圍所述阱區域，并且形成于所述半導體襯底的表層。絕緣膜，其形成于所述阱區域的上表面及所述緩沖區域的上表面；電極，其形成于所述絕緣膜的上表面；以及第2導電型電場緩和構造，其在俯視觀察中包圍所述緩沖區域，并且形成于所述半導體襯底的表層，所述緩沖區域形成為與所述阱區域接觸，所述緩沖區域的雜質濃度隨著從所述有源區遠離而變小，所述電極的距離所述有源區遠的一側的端部與所述緩沖區域的距離所述有源區遠的一側的端部相比，位于接近所述有源區的位置，所述電場緩和構造具備第2導電型的多個RESURF層，該第2導電型的多個RESURF層在俯視觀察中各自包圍所述緩沖區域，并且形成于所述半導體襯底的表層，最接近所述有源區的所述RESURF層與所述緩沖區域接觸，從接近所述有源區側起至少2個所述RESURF層彼此相互接觸。

另外，本申請說明書所公開的技術的第2方式在半導體襯底的表層形成第2導電型阱區域，該第2導電型阱區域在俯視觀察中，包圍在第1導電型的所述半導體襯底的表層形成元件構造的區域即有源區，在所述半導體襯底的表層形成在俯視觀察中包圍所述阱區域的第2導電型緩沖區域，在所述阱區域的上表面及所述緩沖區域的上表面形成絕緣膜，在所述絕緣膜的上表面形成電極，在所述半導體襯底的表層形成在俯視觀察中包圍所述緩沖區域的第2導電型電場緩和構造，所述緩沖區域形成為與所述阱區域接觸，所述緩沖區域的雜質濃度隨著從所述有源區遠離而變小，所述電極的距離所述有源區遠的一側的端部與所述緩沖區域的距離所述有源區遠的一側的端部相比，位于接近所述有源區的位置，所述電場緩和構造具備第2導電型的多個RESURF層，該第2導電型的多個RESURF層在俯視觀察中各自包圍所述緩沖區域，并且形成于所述半導體襯底的表層，最接近所述有源區的所述RESURF層與所述緩沖區域接觸，從接近所述有源區側起至少2個所述RESURF層彼此相互接觸。