[發明專利]一種新型微波源有效
| 申請號： | 201910991619.6 | 申請日： | 2019-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN110718835B | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發明（設計）人： | 陳海波;楊仁福;陳星;趙環 | 申請（專利權）人： | 北京無線電計量測試研究所 |
| 主分類號： | H01S1/02 | 分類號： | H01S1/02;H01S1/00 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生輝 |
| 地址： | 100854 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 微波 | ||
1.一種微波源，其特征在于，包括
半導體激光器、光電調制器、第一光耦合器、第一偏振控制器、第二偏振控制器、第二光耦合器、諧振腔模塊、光探測器、濾波器、定向耦合器；
其中，所述諧振腔模塊為高Q值光學諧振腔；
所述高Q值光學諧振腔采用環形波導或盤形波導；
所述高Q值光學諧振腔的H模和E模的振蕩頻率的間隔為8-40GHz，且H模和E模的振蕩頻率相同；
所述半導體激光器、所述光電調制器和所述第一光耦合器沿著光路依次連接；
所述第一光耦合器的一個輸出端連接所述第一偏振控制器的輸入端；
所述第一光耦合器的另一個輸出端連接所述第二偏振控制器的輸入端；
所述第一偏振控制器的輸出端連接所述第二光耦合器的一個輸入端；
所述第二偏振控制器的輸出端連接所述第二光耦合器的另一個輸入端；
所述第二光耦合器、所述諧振腔模塊、光探測器、濾波器和定向耦合器依次連接；
所述定向耦合器與所述光電調制器連接。
2.根據權利要求1所述的微波源，其特征在于，所述微波源還包括信號放大器，所述信號放大器設置在所述濾波器和所述定向耦合器之間，用于放大濾波信號的強度。
3.根據權利要求1所述的微波源，其特征在于，所述濾波器的中心頻率與所述H模或E模的振蕩頻率相同。
4.根據權利要求1所述的微波源，其特征在于，所述半導體激光器為VCSEL激光器或DFB激光器。
5.根據權利要求1所述的微波源，其特征在于，所述半導體激光器為中心波長為850nm、1330nm或1550nm的半導體激光器，所述半導體激光器的線寬小于或等于20MHz。
6.根據權利要求5所述的微波源，其特征在于，所述高Q值光學諧振腔的制作材料為GaAs基材料或InP基材料，
其中，當所述半導體激光器的中心波長為850nm的情況下，所述高Q值光學諧振腔的制作材料為GaAs基材料；
當所述半導體激光器的中心波長為1330nm或1550nm的情況下，所述高Q值光學諧振腔的制作材料為InP基材料。
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