[發明專利]一種晶圓級透鏡單元及其制造方法在審
| 申請號: | 201910990711.0 | 申請日: | 2019-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN110890391A | 公開(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發明(設計)人: | 李衛士;蘇亞蘭;諶世廣;王林 | 申請(專利權)人: | 華天慧創科技(西安)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;B29C33/44;B29C59/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710018 陜西省西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶圓級 透鏡 單元 及其 制造 方法 | ||
1.一種晶圓級透鏡單元,包括:基板、透鏡、圍堰、CMOS圖像傳感器芯片;其中,
透鏡和圍堰配置在基板的上表面,圍堰形成于透鏡外圍,透鏡與圍堰為一體成型結構;
CMOS圖像傳感器芯片配置在基板下表面,CMOS圖像傳感器芯片通過DAF膜與基板貼合。
2.根據權利要求1所述的一種晶圓級透鏡單元,其特征在于,透鏡與圍堰由可固化材料通過壓印工藝制造形成。
3.根據權利要求1所述的一種晶圓級透鏡單元,其特征在于,圍堰為環繞透鏡的環狀結構。
4.根據權利要求1所述的一種晶圓級透鏡單元,其特征在于,圍堰的高度不低于透鏡的高度。
5.根據權利要求1所述的一種晶圓級透鏡單元,其特征在于,圍堰設計為上部窄下部寬的結構。
6.根據權利要求1所述的一種晶圓級透鏡單元,其特征在于,圍堰為梯形,圍堰上部的兩個角為圓弧角。
7.一種晶圓級透鏡單元的制造方法,包括以下步驟:
一、提供一清潔基板;
二、在基板上表面涂覆可固化材料,通過壓印加工制得多個透鏡與圍堰;
三、在基板下表面粘接一層DAF膜;
四、在基板下表面的DAF膜上堆疊CMOS圖像傳感器芯片;
五、沿預設的切割道對步驟四形成的結構進行切割單個化,獲得晶圓級透鏡單元。
8.根據權利要求7所述的一種晶圓級透鏡單元的制造方法,其特征在于,步驟二中,利用點膠設備在基板上表面涂覆可固化材料,以壓印模板成型面施壓于可固化材料,壓印模板成型面具有預定的壓印圖案以在可固化材料上轉印,形成尚未固化的壓印結構,對尚未固化的壓印結構進行固化處理,形成固化的一體成型的多個透鏡及各透鏡外圍的圍堰。
9.根據權利要求8所述的一種晶圓級透鏡單元的制造方法,其特征在于,可固化材料是UV固化材料、熱固化材料或二者結合,可固化材料能夠形變,通過施加于其上的外力而塑形并且能夠硬化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





