[發明專利]一種疊層MWT太陽能電池組件及其制備方法

有效

• 申請號: 201910989820.0
• 申請日: 2019-10-17
• 公開（公告）號: CN111435691B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 杭州纖納光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0687
• 分類號: H01L31/0687;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/043;H01L31/18
• 代理公司: 杭州奧創知識產權代理有限公司 33272
• 代理人: 楊文華

1.一種疊層MWT太陽能電池組件的制備方法，其特征在于，所述疊層MWT太陽能電池組件包括從下往上的底層正負對電極、MWT太陽能電池層、載流子復合層、第二太陽能電池層、頂層透明電極層以及表面柵線，在所述MWT太陽能電池組件中設置若干上下貫穿的貫通孔，在所述貫通孔內設置導電金屬，所述導電金屬將表面柵線與底層正負對電極中的其中一種電極導電連接，所述底層正負對電極中的另一種電極與MWT太陽能電池層導電連接，所述疊層MWT太陽能電池組件的制備方法包括如下步驟：

步驟一、制備MWT太陽能電池層的步驟包括：將清潔后的P型硅片放入擴散管中進行磷擴散，P型硅片選用電阻率為2Ω·cm的硅片，形成N型擴散層，N型擴散層的方塊電阻為75Ω/sq，采用拋光方式去除P型硅片背面在擴散過程中形成的磷硅玻璃，在該面采用層沉積方式為等離子體增強型化學氣相沉積（PECVD）方法沉積一層氧化鋁層作為背面鈍化層，背面鈍化層的厚度為50nm；

步驟二、在MWT太陽能電池層上表面采用磁控濺射法沉積制備一層厚度為100nm的ITO作為載流子復合層；

步驟三、在載流子復合層的表面制備第二太陽能電池層——鈣鈦礦太陽能電池層，包括如下步驟：在該載流子復合層表面沉積厚度為20nm氧化鎳作為空穴傳輸層，然后采用溶液旋涂法，將碘化鉛和碘甲胺的等比例DMF:DMSO(4:1)溶液，刮涂在空穴傳輸層表面，并在100攝氏度退火10分鐘，形成結晶良好的鈣鈦礦薄膜層，然后采用刮涂法沉積厚度為70nm的PCBM薄膜作為電子傳輸層；

步驟四、在第二太陽能電池層的電子傳輸層的表面采用磁控濺射法沉積制備厚度為100nm的ITO作為頂層透明電極層；

步驟五、采用紅色激光在頂層透明電極層上鉆出多個4×4mm形式的貫通孔貫穿已制備的各層，該貫通孔直徑200um，孔距38.5mm，在所述貫通孔內沉積導電金屬，將頂層透明電極層通過電連接引到P型硅片的背面；

步驟六、在頂層透明電極層的表面沉積制備表面柵線，所述表面柵線為導電金屬柵線，所述表面柵線與貫穿孔內的導電金屬的上端導電連接；

步驟七、再用綠色激光在背面鈍化層上加工若干線槽或圓孔，所述線槽或圓孔的底部露出P型硅片，所述線槽的線寬為10~100um，線距100~2000um，所述圓孔的直徑為5~500um，孔距為10~2000um，在背面鈍化層的下表面沉積背電極層，在所述背電極層上加工出底層正負對電極，其中正電極與貫穿孔內的導電金屬的下端導電連接，在所述線槽或圓孔內沉積有背電極層的導電材料，形成負電極，該負電極與P型硅片的背面導電連接。