[發明專利]激光退火設備及激光退火工藝有效
| 申請號: | 201910986190.1 | 申請日: | 2019-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN110767576B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發明(設計)人: | 顧海龍;裴雷洪;何春雷 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/268;B23K26/00;B23K26/03;B23K26/062;B23K26/70;B23K37/04 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 張彥敏 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 退火 設備 工藝 | ||
1.一種激光退火設備,其特征在于,包括:真空吸盤,用于承載晶圓;激光光源,用于對位于真空吸盤上的晶圓進行激光退火工藝;晶圓位置信息采樣設備,用于采樣晶圓的實際位置,并輸出晶圓的實際位置信息;激光光源控制設備,用于接收晶圓的實際位置信息,并根據晶圓的實際位置信息計算晶圓的實際位置與晶圓的標準位置之間的偏差量,并根據該偏差量調整激光光源的中心點,以使激光光源的中心點跟隨晶圓的中心點,當所述偏差量超過閾值時,激光光源控制設備發出報警信號。
2.根據權利要求1所述的激光退火設備,其特征在于,所述晶圓位置信息采樣設備為位于激光退火設備內的攝像頭。
3.根據權利要求1所述的激光退火設備,其特征在于,所述激光光源控制設備為PXI控制器。
4.根據權利要求1所述的激光退火設備,其特征在于,所述偏差量為晶圓中心點在X軸方向上的晶邊與真空吸盤臺階之間的距離X1和X2,及晶圓中心點在Y軸方向上的晶邊與真空吸盤臺階之間的距離Y1和Y2。
5.根據權利要求1所述的激光退火設備,其特征在于,所述偏差量為晶圓的中心點相對于晶圓的標準位置的中心點在X軸方向上的距離,及晶圓的中心點相對于晶圓的標準位置的中心點在Y軸方向上的距離。
6.根據權利要求4所述的激光退火設備,其特征在于,當偏差量X1、X2、Y1或Y2大于800微米時,激光光源控制設備發出報警信號。
7.一種激光退火工藝,其特征在于,包括:
S1:激光退火設備中的晶圓位置信息采樣設備,采樣晶圓的實際位置,并輸出晶圓的實際位置信息;以及
S2:激光退火設備中的激光光源控制設備接收晶圓的實際位置信息,并根據晶圓的實際位置信息計算晶圓的實際位置與晶圓的標準位置之間的偏差量,并當偏差量小于預設值時調整激光光源的中心點的位置,以使激光光源的中心點與晶圓的中心點一致,當偏差量大于預設值時控制激光退火設備發出報警信號。
8.根據權利要求7所述的激光退火工藝,其特征在于,所述偏差量為晶圓中心點在X軸方向上的晶邊與真空吸盤臺階之間的距離X1和X2,及晶圓中心點在Y軸方向上的晶邊與真空吸盤臺階之間的距離Y1和Y2。
9.根據權利要求7所述的激光退火工藝,其特征在于,所述偏差量為晶圓的中心點相對于晶圓的標準位置的中心點在X軸方向上的距離,及晶圓的中心點相對于晶圓的標準位置的中心點在Y軸方向上的距離。
10.根據權利要求8所述的激光退火工藝,其特征在于,當偏差量X1、X2、Y1或Y2大于800微米時,激光光源控制設備發出報警信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





