本發(fā)明公開了一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截?cái)喙に嚪椒ǎǎ翰襟E一、提供半導(dǎo)體襯底，形成第一光刻膠圖形以定義出鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截?cái)鄥^(qū)域；步驟二、對(duì)半導(dǎo)體襯底表面的第二非晶半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕形成第二非晶半導(dǎo)體圖形；步驟三、形成第一介質(zhì)層且由第一介質(zhì)層之間的間距并形成第一凹槽；步驟四、形成第二介質(zhì)層將第一凹槽完全填充；步驟五、采用以第二非晶半導(dǎo)體層為停止層的化學(xué)機(jī)械研磨工藝進(jìn)行平坦化形成第一介質(zhì)層組成的側(cè)墻和第二介質(zhì)層條形；步驟六、自對(duì)準(zhǔn)去除各側(cè)墻；步驟七、采用濕法工藝將非晶半導(dǎo)體條形去除；步驟八、以各第二介質(zhì)層條形為掩膜進(jìn)行刻蝕形成鰭體并同時(shí)實(shí)現(xiàn)晶體管截?cái)唷１景l(fā)明能增加工藝窗口，降低工藝成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET transistor)的截?cái)喙に嚪椒ā?/p>

背景技術(shù)

如圖1A所示，是現(xiàn)有鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截?cái)喙に嚪椒ㄖ械啮掦w形成后以及截?cái)嗲暗钠骷Ⅲw結(jié)構(gòu)示意圖；如圖1B所示，是現(xiàn)有鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截?cái)喙に嚪椒ㄖ薪財(cái)嗪蟮钠骷Ⅲw結(jié)構(gòu)示意圖；如圖2A至圖2H是現(xiàn)有鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截?cái)喙に嚪椒ǜ鞑襟E中的器件結(jié)構(gòu)示意圖；現(xiàn)有鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截?cái)喙に嚪椒òㄈ缦虏襟E：

步驟一、如圖2A所示，提供半導(dǎo)體襯底101，在所述半導(dǎo)體襯底101表面依次形成有第一硬掩模層103和第二非晶半導(dǎo)體層104。

采用光刻工藝形成第一光刻膠圖形以定義出鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的鰭體102的形成區(qū)域，所述第一光刻膠圖形由多個(gè)光刻膠條形106排列而成。

通常，形成所述第一光刻膠圖形時(shí)采用Tri-layer結(jié)構(gòu)，Tri-layer包括由旋涂碳(Spin On Carbon,SOC)、含硅硬掩膜層(silicon contained hard mask，SiHM)和光刻膠疊加而成，圖2A中標(biāo)記105表示Tri-layer結(jié)構(gòu)中的SOC和SiHM的疊加結(jié)構(gòu)。

通常，所述半導(dǎo)體襯底101為硅襯底。所述第二非晶半導(dǎo)體層104的材料為非晶硅。

所述第一硬掩模層103的材料包括氧化層或氮化層。較佳選擇為，所述第一硬掩模層103包括依次疊加的第三氧化層103a、第四氮化層103b和第五氧化層103c。

步驟二、如圖2B所示，以所述第一光刻膠圖形為掩膜對(duì)所述第二非晶半導(dǎo)體層104進(jìn)行刻蝕形成第二非晶半導(dǎo)體圖形，所述第二非晶半導(dǎo)體圖形由多個(gè)非晶半導(dǎo)體條形4a排列而成，所述非晶半導(dǎo)體條形4a由所述光刻膠條形106定義。

通常，采用干法刻蝕工藝對(duì)所述第二非晶半導(dǎo)體層104進(jìn)行刻蝕。

步驟三、如圖2C所示，形成第一介質(zhì)層107，所述第一介質(zhì)層107覆蓋在所述非晶半導(dǎo)體條形4a的頂部表面、側(cè)面以及所述非晶半導(dǎo)體條形4a之間的所述第一硬掩模層103表面。通常，所述非晶半導(dǎo)體條形4a的側(cè)面的所述第一介質(zhì)層107之間具有間距。

通常，所述第一介質(zhì)層107為氮化層。

步驟四、如圖2D所示，對(duì)所述第一介質(zhì)層107進(jìn)行全面刻蝕并形成由僅位于所述非晶半導(dǎo)體條形4a的側(cè)面的所述第一介質(zhì)層107組成的側(cè)墻107a。

步驟五、如圖2E所示，之后直接去除所述非晶半導(dǎo)體條形104a并形成由所述側(cè)墻107a組成的圖形掩膜。

步驟六、如圖2F所示，以由所述側(cè)墻107a組成的圖形為掩膜進(jìn)行刻蝕形成所述鰭體102。所述鰭體102的立體結(jié)構(gòu)請(qǐng)參考圖1A所示。

步驟七、如圖2G所示，進(jìn)行第二次光刻工藝形成第二光刻膠圖形以定義出鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截?cái)鄥^(qū)域，所述第二光刻膠圖形由多個(gè)光刻膠條形109排列而成。所述截?cái)鄥^(qū)域如虛線框110所示。