[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

在審

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• 申請日: 2019-10-16
• 公開（公告）號: CN112670403A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳禹鈞;馮雅圣;邱久容
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L43/02
• 分類號: H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

電極元件，具有上表面，該上表面包含至少一凸曲部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該電極元件包含下電極部與位于該下電極部上的上電極部，其中該上電極部具有該上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該上電極部具有蛾眼結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該上電極部具有變化的高度，該下電極部具有一致的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該電極元件的該上表面包含連續(xù)排列的多個該凸曲部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該些凸曲部具有半球形狀或半橢圓形狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該電極元件是一磁性隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)的電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括磁性隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)，其中該電極元件是該磁性隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)的頂電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括底電極，其中該磁性隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)電連接于該頂電極與該底電極之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括通孔元件，其中該磁性隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)位于該通孔元件上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括導(dǎo)電層，其中該通孔元件位于該導(dǎo)電層上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電層是金屬層。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括介電層，該介電層位于該通孔元件的側(cè)表面上。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括介電膜，該介電膜位于該介電層、該磁性隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)與該電極元件上。

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括多個通孔元件，該些通孔元件彼此分離，其中該磁性隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)位于該些通孔元件上，該電極元件的該上表面具有多個該凸曲部。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括硬掩模層，該掩模層位于該電極元件上。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括磁性隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)，其中該電極元件位于該磁性隧穿結(jié)結(jié)構(gòu)上。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該硬掩模層具有一變化的厚度。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該變化的厚度為由該硬掩模層的中心往相反兩側(cè)逐漸變薄的分布。

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括介電膜，該介電膜位于該硬掩模層上。