[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910981704.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110690262A | 公開(公告)日: | 2020-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧瑞;夏存軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 李漢亮 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示區(qū) 擋墻 有機(jī)發(fā)光二極管 像素限定層 子基板 有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板 非顯示區(qū) 移除 開口 環(huán)繞 封裝薄膜層 有機(jī)保護(hù)膜 傳統(tǒng)面板 防裂結(jié)構(gòu) 母基板 切割線 覆蓋 緩釋 界定 水氧 切割 侵入 腐蝕 制造 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板制造方法,其特征在于:其包含:
提供一母基板,所述母基板設(shè)有數(shù)條切割線,所述數(shù)條切割線界定出一子基板及在子基板周圍的數(shù)個(gè)移除區(qū),所述子基板包含一顯示區(qū)及圍繞所述顯示區(qū)的一非顯示區(qū);
形成一像素限定層在所述顯示區(qū)上,所述像素限定層包含一開口;
形成一有機(jī)發(fā)光二極管于所述開口中;
形成一擋墻在所述非顯示區(qū)上,所述擋墻為環(huán)繞所述顯示區(qū)的封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu);
形成一防裂結(jié)構(gòu)在所述非顯示區(qū)上,所述防裂結(jié)構(gòu)為環(huán)繞所述擋墻的封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu);
形成一封裝薄膜層,覆蓋于所述像素限定層、所述有機(jī)發(fā)光二極管及所述擋墻上;
形成一有機(jī)保護(hù)膜,所述有機(jī)保護(hù)膜從所述擋墻遠(yuǎn)離顯示區(qū)的一側(cè)覆蓋到所述子基板周圍的數(shù)個(gè)移除區(qū),以完全覆蓋所述防裂結(jié)構(gòu)及所述子基板周圍的切割線;以及
沿所述數(shù)條切割線切割出所述子基板,以獲得所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板制造方法,其特征在于:所述有機(jī)保護(hù)膜還從所述擋墻遠(yuǎn)離顯示區(qū)的一側(cè)覆蓋到所述顯示區(qū)的邊緣,以完全包覆覆蓋有所述封裝薄膜層的所述擋墻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板制造方法,其特征在于:所述有機(jī)保護(hù)膜相對(duì)于基板的高度大于所述防裂結(jié)構(gòu)對(duì)于基板的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板制造方法,其特征在于:其還包含:在所述提供一母基板之后,形成一薄膜晶體管層在所述母基板上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板制造方法,其特征在于:所述形成一封裝薄膜層包含:
形成一第一無機(jī)層覆蓋于所述像素限定層、所述有機(jī)發(fā)光二極管及所述擋墻上;
形成一有機(jī)層在所述顯示區(qū)內(nèi)的第一無機(jī)層上;以及
形成一第二無機(jī)層覆蓋所述有機(jī)層及所述第一無機(jī)層,所述第二無機(jī)層與所述第一無機(jī)層完全包覆所述有機(jī)層。
6.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于:其包含:
一基板,包含一顯示區(qū)及圍繞所述顯示區(qū)的一非顯示區(qū);
一像素限定層,設(shè)置在所述顯示區(qū)上,所述像素限定層包含一開口;
一有機(jī)發(fā)光二極管,設(shè)置在所述開口中;
一擋墻,設(shè)置在所述非顯示區(qū)上且為環(huán)繞所述顯示區(qū)的封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu);
一防裂結(jié)構(gòu),設(shè)置在所述非顯示區(qū)上且為環(huán)繞所述擋墻的封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu);
一封裝薄膜層,覆蓋在所述像素限定層、所述有機(jī)發(fā)光二極管及所述擋墻上;
一有機(jī)保護(hù)膜,其從所述擋墻遠(yuǎn)離顯示區(qū)的一側(cè)覆蓋到所述基板的邊緣,以完全包覆所述防裂結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板制造方法,其特征在于:所述有機(jī)保護(hù)膜還從所述擋墻遠(yuǎn)離顯示區(qū)的一側(cè)覆蓋到所述顯示區(qū)的邊緣,以完全包覆非顯示區(qū)內(nèi)覆蓋有所述封裝薄膜層的所述擋墻。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板制造方法,其特征在于:所述有機(jī)保護(hù)膜相對(duì)于基板的高度大于所述防裂結(jié)構(gòu)對(duì)于基板的高度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板制造方法,其特征在于:其還包含:一薄膜晶體管層,設(shè)置在所述基板上,且電連接于所述有機(jī)發(fā)光二極管。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板制造方法,其特征在于:所述封裝薄膜層包含:
一第一無機(jī)層,覆蓋于所述像素限定層、所述有機(jī)發(fā)光二極管及所述擋墻上;
一有機(jī)層,設(shè)置在所述顯示區(qū)內(nèi)的第一無機(jī)層上;以及
一第二無機(jī)層,覆蓋所述有機(jī)層及所述第一無機(jī)層,所述第二無機(jī)層與所述第一無機(jī)層完全包覆所述有機(jī)層。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





