[發明專利]片內參考電流產生電路在審
| 申請號： | 201910981700.6 | 申請日： | 2019-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN112667022A | 公開（公告）日： | 2021-04-16 |
| 發明（設計）人： | 季汝敏;應戰 | 申請（專利權）人： | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號： | G05F3/26 | 分類號： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 參考 電流 產生 電路 | ||
1.一種片內參考電流產生電路，用以供應至少一參考電流給至少一負載，其特征在于，所述片內參考電流產生電路包括：
晶體管；
運算放大單元，其正輸入端輸入一參考電壓，負輸入端耦接所述晶體管的源極，輸出端耦接所述晶體管的柵極；
第一下拉電阻單元，耦接于所述晶體管的源極與接地之間，所述第一下拉電阻單元為經過ZQ校準電路校準的電阻單元；
電流鏡單元，耦接于所述晶體管的漏極與電源電壓之間，用于將產生的電流輸出供所述負載使用。
2.根據權利要求1所述的片內參考電流產生電路，其特征在于，所述ZQ校準電路具有一第二下拉電阻單元及校準所述第二下拉電阻單元的下拉校準碼，所述第一下拉電阻單元復制所述第二下拉電阻單元，并使用所述下拉校準碼作為所述第一下拉電阻單元的下拉校準碼。
3.根據權利要求2所述的片內參考電流產生電路，其特征在于，所述第一下拉電阻單元與所述第二下拉電阻單元相鄰設置。
4.根據權利要求1所述的片內參考電流產生電路，其特征在于，所述參考電壓小于2(VGS-VTH)。
5.根據權利要求4所述的片內參考電流產生電路，其特征在于，所述參考電壓為2(VGS-VTH)的1/100～1/10。
6.根據權利要求1所述的片內參考電流產生電路，其特征在于，所述片內參考電流產生電路還包括與所述第一下拉電阻單元并聯的旁路電阻單元，在所述第一下拉電阻單元未被所述ZQ校準電路校準之前，所述旁路電阻單元開啟，在所述第一下拉電阻單元被所述ZQ校準電路校準后，所述旁路電阻單元關斷。
7.根據權利要求6所述的片內參考電流產生電路，其特征在于，所述旁路電阻單元包括至少一晶體管。
8.根據權利要求7所述的片內參考電流產生電路，其特征在于，所述旁路電阻單元中的所述晶體管的源極接地。
9.根據權利要求1所述的片內參考電流產生電路，其特征在于，所述第一下拉電阻單元包括多個并行耦合的晶體管。
10.根據權利要求1所述的片內參考電流產生電路，其特征在于，所述片內參考電流產生電路還包括帶隙電壓產生器，所述帶隙電壓產生器耦接所述運算放大單元的正輸入端，用于產生所述參考電壓。
11.根據權利要求1所述的片內參考電流產生電路，其特征在于，所述晶體管為N型晶體管。
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