[發明專利]一種2.5D封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201910981691.0
• 申請日: 2019-10-16
• 公開（公告）號: CN110676240A
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 劉軍;曹立強
• 申請（專利權）人: 上海先方半導體有限公司;華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 31313 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙)
• 代理人: 張東梅

1.一種2.5D封裝結構，包括：

轉接板；

導電硅通孔，所述導電硅通孔設置在貫穿所述轉接板的內部；

轉接板正面重新布局布線層，所述轉接板正面重新布局布線層電連接所述導電硅通孔；

第一芯片，所述第一芯片設置在所述轉接板正面重新布局布線層的上方，并與所述轉接板正面重新布局布線層電連接；

第二芯片，所述第二芯片設置在所述轉接板正面重新布局布線層的上方，并與所述轉接板正面重新布局布線層電連接；

底填膠層，所述底填膠設置在所述第一芯片和或所述第二芯片的底部與所述正面重新布局布線層之間；

正面塑封層，所述正面塑封層包覆所述第一芯片和所述第二芯片；

轉接板背面金屬層，所述轉接板背面金屬層電連接所述導電硅通孔，實現與所述轉接板正面重新布局布線層、所述第一芯片、所述第二芯片的電連接；

外接焊球，所述外接焊球設置在所述轉接板背面金屬層的外接焊盤上；以及

背面塑封層，所述背面塑封層包覆除所述外接焊球的所述轉接板的背面。

2.如權利要求1所述的2.5D封裝結構，其特征在于，還包括第三芯片，所述第三芯片設置在所述轉接板正面重新布局布線層的上方，并與所述轉接板正面重新布局布線層電連接。

3.如權利要求1所述的2.5D封裝結構，其特征在于，所述轉接板為硅轉接板，其厚度為80微米至130微米。

4.如權利要求1所述的2.5D封裝結構，其特征在于，所述轉接板正面重新布局布線層為單層或多層導電金屬層，并具有設置在同層金屬間和臨層金屬間的介質層，其中最上次金屬層進一步包括M個芯片焊盤，M≥2。

5.如權利要求4所述的2.5D封裝結構，其特征在于，所述第一芯片和或所述第二芯片通過倒裝焊設置在所述芯片焊盤上。

6.如權利要求1所述的2.5D封裝結構，其特征在于，所述正面塑封層在包覆所述第一芯片和所述第二芯片的同時，還包覆所述轉接板的側壁。

7.如權利要求6所述的2.5D封裝結構，其特征在于，所述背面塑封層與所述正面塑封層一起形成對所述外接焊球以外所有封裝結構的包覆保護。

8.一種2.5D封裝結構的制造方法，包括：

在襯底上形成導電硅通孔、重新布局布線層、介質層以及切割道；

進行芯片的貼片，并在芯片的底部形成底填膠層；

并在切割道下方的襯底中形成半切槽；

正面塑封完成芯片的晶圓重構，正面塑封層填充所述半切槽；

進行襯底背面減薄，實現導電硅通孔的背面金屬漏出，同時實現半切槽內的正面塑封層的背面漏出；

在襯底背面形成背面金屬層和外接焊球；

形成背面塑封層；以及

分割形成單顆封裝結構。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，分割后所述正面塑封層包覆所述封裝結構的頂面和側面，所述背面塑封層包覆所述封裝結構的底面除外接焊球之外的部分，并與所述正面塑封層相連，實現六面包覆結構。