[發(fā)明專利]一種2.5D封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910981691.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110676240A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉軍;曹立強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海先方半導(dǎo)體有限公司;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/498 | 分類號(hào): | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司: | 31313 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人: | 張東梅 |
| 地址: | 200000 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 轉(zhuǎn)接板 布線層 芯片 導(dǎo)電硅 電連接 通孔 塑封層 填膠 背面金屬層 封裝結(jié)構(gòu) 包覆 貫穿 | ||
1.一種2.5D封裝結(jié)構(gòu),包括:
轉(zhuǎn)接板;
導(dǎo)電硅通孔,所述導(dǎo)電硅通孔設(shè)置在貫穿所述轉(zhuǎn)接板的內(nèi)部;
轉(zhuǎn)接板正面重新布局布線層,所述轉(zhuǎn)接板正面重新布局布線層電連接所述導(dǎo)電硅通孔;
第一芯片,所述第一芯片設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接板正面重新布局布線層的上方,并與所述轉(zhuǎn)接板正面重新布局布線層電連接;
第二芯片,所述第二芯片設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接板正面重新布局布線層的上方,并與所述轉(zhuǎn)接板正面重新布局布線層電連接;
底填膠層,所述底填膠設(shè)置在所述第一芯片和或所述第二芯片的底部與所述正面重新布局布線層之間;
正面塑封層,所述正面塑封層包覆所述第一芯片和所述第二芯片;
轉(zhuǎn)接板背面金屬層,所述轉(zhuǎn)接板背面金屬層電連接所述導(dǎo)電硅通孔,實(shí)現(xiàn)與所述轉(zhuǎn)接板正面重新布局布線層、所述第一芯片、所述第二芯片的電連接;
外接焊球,所述外接焊球設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接板背面金屬層的外接焊盤上;以及
背面塑封層,所述背面塑封層包覆除所述外接焊球的所述轉(zhuǎn)接板的背面。
2.如權(quán)利要求1所述的2.5D封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括第三芯片,所述第三芯片設(shè)置在所述轉(zhuǎn)接板正面重新布局布線層的上方,并與所述轉(zhuǎn)接板正面重新布局布線層電連接。
3.如權(quán)利要求1所述的2.5D封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述轉(zhuǎn)接板為硅轉(zhuǎn)接板,其厚度為80微米至130微米。
4.如權(quán)利要求1所述的2.5D封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述轉(zhuǎn)接板正面重新布局布線層為單層或多層導(dǎo)電金屬層,并具有設(shè)置在同層金屬間和臨層金屬間的介質(zhì)層,其中最上次金屬層進(jìn)一步包括M個(gè)芯片焊盤,M≥2。
5.如權(quán)利要求4所述的2.5D封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一芯片和或所述第二芯片通過(guò)倒裝焊設(shè)置在所述芯片焊盤上。
6.如權(quán)利要求1所述的2.5D封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述正面塑封層在包覆所述第一芯片和所述第二芯片的同時(shí),還包覆所述轉(zhuǎn)接板的側(cè)壁。
7.如權(quán)利要求6所述的2.5D封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述背面塑封層與所述正面塑封層一起形成對(duì)所述外接焊球以外所有封裝結(jié)構(gòu)的包覆保護(hù)。
8.一種2.5D封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,包括:
在襯底上形成導(dǎo)電硅通孔、重新布局布線層、介質(zhì)層以及切割道;
進(jìn)行芯片的貼片,并在芯片的底部形成底填膠層;
并在切割道下方的襯底中形成半切槽;
正面塑封完成芯片的晶圓重構(gòu),正面塑封層填充所述半切槽;
進(jìn)行襯底背面減薄,實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電硅通孔的背面金屬漏出,同時(shí)實(shí)現(xiàn)半切槽內(nèi)的正面塑封層的背面漏出;
在襯底背面形成背面金屬層和外接焊球;
形成背面塑封層;以及
分割形成單顆封裝結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,分割后所述正面塑封層包覆所述封裝結(jié)構(gòu)的頂面和側(cè)面,所述背面塑封層包覆所述封裝結(jié)構(gòu)的底面除外接焊球之外的部分,并與所述正面塑封層相連,實(shí)現(xiàn)六面包覆結(jié)構(gòu)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海先方半導(dǎo)體有限公司;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司,未經(jīng)上海先方半導(dǎo)體有限公司;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910981691.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





