[發(fā)明專利]銦錫鎳氧化物靶材及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910981520.8
• 申請日: 2019-10-16
• 公開（公告）號: CN112626469B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設計）人: 柯伯賢;謝承諺;簡毓蒼;劉硯鳴
• 申請（專利權）人: 光洋應用材料科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 張德斌;閆加賀

1.一種銦錫鎳氧化物靶材，其是由銦、錫、鎳及氧所組成，其中鎳相對于銦、錫和鎳的總和的含量和大于0原子百分比且小于或等于3原子百分比，且該銦錫鎳氧化物靶材的平均體電阻率小于2×10^-4歐姆－公分；所述銦錫鎳氧化物靶材的X光繞射光譜包含一第一特征峰及一第二特征峰，該第一特征峰的2θ為30.243°±1.000°，該第二特征峰的2θ為30.585°±1.000°，其中該第二特征峰的2θ相對于氧化銦標準品的X光繞射光譜中2θ為30.585°的特征峰的2θ偏移量大于0.02°。

2.如權利要求1所述的銦錫鎳氧化物靶材，其中鎳相對于銦、錫和鎳的總和的含量和大于或等于0.1原子百分比且小于或等于2.8原子百分比。

3.如權利要求1所述的銦錫鎳氧化物靶材，其中錫相對于銦、錫和鎳的總和的含量和大于0原子百分比且小于或等于10原子百分比。

4.如權利要求1至3中任一項所述的銦錫鎳氧化物靶材，其中該銦錫鎳氧化物靶材包含二次相，該二次相的成分為銦錫氧化物，該二次相的面積占該銦錫鎳氧化物靶材的截面積的比例小于16％。

5.如權利要求1至3中任一項所述的銦錫鎳氧化物靶材，其中以該第二特征峰的繞射強度為基準，該第一特征峰的繞射強度相對于該第二特征峰的繞射強度的比例小于30％。

6.一種制造如權利要求1至5中任一項所述的銦錫鎳氧化物靶材的方法，包含下列步驟：

(1)將銦的氧化物粉末、錫的氧化物粉末及鎳的氧化物粉末混合并進行噴霧造粒，得到造粒粉末，其中該造粒粉末中鎳相對于銦、錫和鎳的總和的含量和大于0原子百分比且小于或等于3原子百分比，該造粒粉末直徑不大于150微米；

(2)將該造粒粉末進行預成型，接續(xù)轉以冷均壓成型以得到一靶胚；及

(3)將該靶胚于1500℃至1600℃下燒結10小時至20小時，以獲得該銦錫鎳氧化物靶材。