[發明專利]單根ZnO微米線異質結基近紅外發光二極管及制備方法

在審

• 申請號: 201910981146.1
• 申請日: 2019-10-16
• 公開（公告）號: CN110828620A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 闞彩俠;萬鵬;姜明明;周祥博;劉洋
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/02;H01L33/30
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 黃欣

1.單根ZnO微米線異質結基近紅外發光二極管，其特征在于：包括p-GaAs襯底（1），在p-GaAs襯底（1）一側設有金屬Ni/Au電極（2），構成發光二極管的陽極；在p-GaAs襯底（1）上還設有單根n-ZnO:Ga微米線（3），在單根n-ZnO:Ga微米線（3）的一端表面設有Ag電極（4），構成發光二極管的陰極。

2.根據權利要求1所述的單根ZnO微米線異質結基近紅外發光二極管，其特征在于：p-GaAs襯底厚度335~365μm，空穴濃度為1.4*10¹⁹ ~2.0*10¹⁹ /cm³，空穴遷移率為10~100cm²/V·s。

3.根據權利要求1所述的單根ZnO微米線異質結基近紅外發光二極管，其特征在于：所述金屬Ni/Au電極的厚度為20~40nm。

4.根據權利要求1所述的單根ZnO微米線異質結基近紅外發光二極管，其特征在于：所述n-ZnO:Ga微米線的電子濃度為10¹⁷ ~10¹⁹ /cm³，電子遷移率為5~100cm²/V?s。

5.根據權利要求1所述的單根ZnO微米線異質結基近紅外發光二極管，其特征在于：所述Ag電極的厚度為20~40nm。

6.權利要求1所述的單根ZnO微米線異質結基近紅外發光二極管的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1，對p-GaAs襯底進行退火、清洗，保證p-GaAs襯底干凈和平整；

步驟2，在p-GaAs襯底上一側通過蒸鍍制備金屬Ni/Au電極；

步驟3，在n-ZnO:Ga微米線一端的一個表面上通過蒸鍍制備Ag電極；

步驟4，在步驟2得到的p-GaAs襯底上將Ag電極朝上按壓步驟3得到的單根n-ZnO:Ga微米線，形成p-GaAs/n-ZnO:Ga異質結構，即構成完整的單根ZnO微米線異質結基近紅外發光二極管器件。