[發明專利]雙面太陽能電池及其生產方法在審
| 申請號: | 201910980296.0 | 申請日: | 2019-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN112670355A | 公開(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發明(設計)人: | 石強;林綱正;陳剛 | 申請(專利權)人: | 浙江愛旭太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 趙林琳;李春輝 |
| 地址: | 321000 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙面 太陽能電池 及其 生產 方法 | ||
本公開涉及一種雙面太陽能電池及其生產方法。一種雙面太陽能電池(100)包括背電極。背電極包括:多根鋁柵線(75),在第一方向(230)上延伸;以及銀電極(310)。銀電極(310)包括在第一方向(230)上延伸的多根第一銀柵線(320)和在第二方向(240)上延伸的一根或多根第二銀柵線(330)。第二方向(240)不同于第一方向(230)。一根或多根第二銀柵線(330)與多根第一銀柵線(320)相交。多根第一銀柵線(320)中的第一銀柵線(320)與多根鋁柵線(75)中的對應鋁柵線(75)連接。本公開的實施例可以減少雙面太陽能電池的背表面的遮光面積,從而提高背面效率。
技術領域
本公開涉及太陽能電池技術領域,尤其涉及一種雙面太陽能電池的背電極。
背景技術
太陽能電池的清潔、安全、便利及高效等特點,使其成為全球未來新能源的主要配置。隨著單面太陽能電池的效率提高瓶頸和技術的不斷發展,雙面太陽能電池的雙面發電嶄露頭角。雙面太陽能電池可以減少背面激光損傷,并且減少鋁漿印刷面積。
然而,傳統雙面太陽能電池的銀背電極塊的圖形設計,使背面遮光面積無法繼續下降,背面效率提升受到制約。同時,雙面電池背主柵的鋁厚度和高度會更厚更高,燒結時容易產生鋁珠,并且進行組件層壓時會產生隱裂。
因此,急需開發一種新的雙面太陽能電池的背電極圖形,以解決電池和組件生產所遇到的問題,同時進一步提升電池的轉換效率。
發明內容
本公開的實施例提供了一種雙面太陽能電池以及用于生產雙面太陽能電池的方法,以解決或至少部分地解決傳統雙面太陽能電池中的上述和其它潛在問題。
在本公開的第一方面,提供了一種雙面太陽能電池,其包括背電極,該背電極包括:多根鋁柵線,在第一方向上延伸;以及銀電極,銀電極包括在第一方向上延伸的多根第一銀柵線和在第二方向上延伸的一根或多根第二銀柵線,第二方向不同于第一方向,一根或多根第二銀柵線與多根第一銀柵線相交;其中多根第一銀柵線中的第一銀柵線與多根鋁柵線中的對應鋁柵線連接。
代替傳統塊狀的主柵,本公開使用由柵線形成的銀電極,從而可以進一步減少背電極的主柵的占用面積,進而減少遮光面積。得益于電池背面的受光面積的增加,可以提高電池背面的光電轉換效率。另一方面,主柵可以僅由銀電極形成,而不包括鋁條。從而避免了傳統技術中由于厚的鋁條而產生鋁珠和隱裂的問題。
可選地,在一些實施例中,第一銀柵線與對應鋁柵線之間的重疊距離為1-3000μm。以這種方式,第一銀柵線與對應鋁柵線搭接在一起。
可選地,在一些實施例中,多根第一銀柵線的數目與多根鋁柵線的數目相同,并且第一銀柵線的寬度與對應鋁柵線的寬度相同。以這樣的方式,可以保證對鋁柵線的載流子的良好收集。
可選地,在一些實施例中,第一銀柵線的寬度為1-3000μm。
可選地,在一些實施例中,一根或多根第二銀柵線中的第二銀柵線用于雙面太陽能電池與外圍組件的焊接。通過使用第二銀柵線來進行焊接,可以避免在背電極的主柵中使用銀塊,從而最大程度地降低遮光面積。
可選地,在一些實施例中,銀電極還包括銀塊,以用于雙面太陽能電池與外圍組件的焊接。使用銀塊來進行焊接,可以改善焊接的可靠性。
可選地,在一些實施例中,一根或多根第二銀柵線中的第二銀柵線的長度為1-300mm。
可選地,在一些實施例中,一根或多根第二銀柵線中的第二銀柵線的寬度為1-3000μm。
可選地,在一些實施例中,雙面太陽能電池還包括背鈍化膜,背鈍化膜包括形成于其中的槽,對應鋁柵線至少部分地位于槽中,銀電極設置在背鈍化膜的不含槽的區域內。以這種方式,電池背面的不開槽面積變大,從而減少了激光損傷。
可選地,在一些實施例中,第二方向與第一方向垂直。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





