[發明專利]電阻式存儲器裝置及其編程方法

在審

• 申請號: 201910976693.0
• 申請日: 2019-10-15
• 公開（公告）號: CN111383687A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 曺溶成;金武星;白承柔;白鐘民;鄭鳳吉
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;韓明花

1.一種電阻式存儲器裝置的編程方法，所述編程方法包括：

向電阻式存儲器單元施加編程脈沖；以及

在從編程脈沖的施加完成時的時間點起的弛豫時間之后的時間點，向電阻式存儲器單元施加多個后脈沖，所述多個后脈沖具有順序增大的電壓電平。

2.根據權利要求1所述的編程方法，其中，施加所述多個后脈沖的步驟包括：通過保持所述電壓電平之間的電壓差來增大所述多個后脈沖的電壓電平。

3.根據權利要求1所述的編程方法，其中，施加所述多個后脈沖的步驟包括：將所述多個后脈沖的脈沖寬度保持為相等。

4.根據權利要求1所述的編程方法，其中，施加所述多個后脈沖的步驟包括：

通過將所述電壓電平之間的電壓差保持為相等來增大所述多個后脈沖的電壓電平，以及

保持所述多個后脈沖的脈沖寬度相等。

5.根據權利要求1所述的編程方法，其中，施加所述多個后脈沖的步驟包括：通過順序減小所述電壓電平之間的電壓差來增大所述多個后脈沖的電壓電平。

6.根據權利要求1所述的編程方法，其中，施加所述多個后脈沖的步驟包括：順序地增大所述多個后脈沖的脈沖寬度。

7.根據權利要求1所述的編程方法，其中，施加所述多個后脈沖的步驟包括：

通過順序減小所述電壓電平之間的電壓差來增大所述多個后脈沖的電壓電平，以及

順序增大所述多個后脈沖的脈沖寬度。

8.根據權利要求1所述的編程方法，

其中，施加編程脈沖的步驟包括：施加多個編程循環中的后續編程循環的編程脈沖，所述后續編程循環的編程脈沖具有比所述多個編程循環中的在前編程循環的對應編程脈沖高的電壓電平，以及

其中，施加所述多個后脈沖的步驟包括：施加所述多個編程循環中的后續編程循環的后脈沖，所述后續編程循環的后脈沖具有比所述多個編程循環中的在前編程循環中的對應后脈沖高的電壓電平。

9.根據權利要求1所述的編程方法，其中，施加所述多個后脈沖的步驟包括：隨著電阻式存儲器裝置的操作溫度升高，增大所述多個后脈沖的電壓電平。

10.根據權利要求1所述的編程方法，其中，施加所述多個后脈沖的步驟包括：隨著電阻式存儲器裝置的編程循環數增加，減小所述多個后脈沖的電壓電平。

11.根據權利要求1所述的編程方法，其中，施加編程脈沖的步驟包括：

向第一電阻式存儲器單元施加具有第一編程電壓電平的第一編程脈沖，以編程第一電阻式存儲器單元的第一復位狀態，以及

向第二電阻式存儲器單元施加具有比第一編程電壓電平高的第二編程電壓電平的第二編程脈沖，以編程第二電阻式存儲器單元的第二復位狀態，第二復位狀態具有比第一復位狀態高的電阻，以及

其中，施加所述多個后脈沖的步驟包括：

在施加第一編程脈沖之后，向第一電阻式存儲器單元施加具有第一電壓電平的多個第一后脈沖，以及

在施加第二編程脈沖之后，向第二電阻式存儲器單元施加具有比第一電壓電平高的第二電壓電平的多個第二后脈沖。

12.根據權利要求1所述的編程方法，其中，編程脈沖是將電阻式存儲器單元編程為復位狀態的復位編程脈沖。

13.根據權利要求12所述的編程方法，其中，所述多個后脈沖的電壓電平低于復位狀態的閾值電壓分布的下限。

14.根據權利要求1所述的編程方法，其中，僅當編程脈沖是將電阻式存儲器單元編程為復位狀態的復位編程脈沖時，所述多個后脈沖才被施加到電阻式存儲器單元，以及當編程脈沖是將電阻式存儲器單元編程為設置狀態的設置編程脈沖時，所述多個后脈沖不被施加到電阻式存儲器單元。