[發明專利]一種多組分梯度能級核殼結構量子點及其制備方法在審
| 申請號： | 201910976232.3 | 申請日： | 2019-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN110699066A | 公開（公告）日： | 2020-01-17 |
| 發明（設計）人： | 彭俊彪;蘭林鋒;寧洪龍;王磊;徐苗;姚日暉;王丹;張曙光;李海洋;李丹陽 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | C09K11/02 | 分類號： | C09K11/02;C09K11/56;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 44245 廣州市華學知識產權代理有限公司 | 代理人： | 羅嘯秋 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子點 核殼結構 能級 組分梯度 制備 光電材料領域 光致發光光譜 強光 晶體顆粒 | ||
1.一種多組分梯度能級核殼結構量子點，其特征在于：所述多組分梯度能級核殼結構量子點為CdS/CdxZn1-xS/ZnS、CdSySe1-y/CdS/CdxZn1-xS/ZnS或CdSe/CdSySe1-y/CdS/CdxZn1-xS/ZnS，其中0≤x≤1，0≤y≤1。
2.根據權利要求1所述的一種多組分梯度能級核殼結構量子點，其特征在于：所述CdS/CdxZn1-xS/ZnS的光致發光范圍為400～480nm；CdSySe1-y/CdS/CdxZn1-xS/ZnS的光致發光范圍為480～560nm；CdSe/CdSySe1-y/CdS/CdxZn1-xS/ZnS的光致發光范圍為560～660nm。
3.根據權利要求1所述的一種多組分梯度能級核殼結構量子點，其特征在于：所述多組分梯度能級核殼結構量子點的平均粒徑尺寸為2～20nm。
4.根據權利要求1所述的一種多組分梯度能級核殼結構量子點，其特征在于：所述CdS/CdxZn1-xS/ZnS量子點中，種子晶體CdS晶粒尺寸不超過4nm，殼層CdxZn1-xS的厚度不超過15nm，ZnS的厚度不超過4nm；在CdSySe1-y/CdS/CdxZn1-xS/ZnS量子點中，種子晶體CdSySe1-y晶粒尺寸不超過5nm，殼層CdS的厚度不超過2nm，CdxZn1-xS的厚度不超過20nm，ZnS的厚度不超過4nm；在CdSe/CdSySe1-y/CdS/CdxZn1-xS/ZnS量子點中，種子晶體CdSe晶粒尺寸不超過5nm，殼層CdSySe1-y的厚度不超過2nm，CdS的厚度不超過1.5nm，CdxZn1-xS的厚度不超過20nm，ZnS的厚度不超過4nm。
5.根據權利要求1所述的一種多組分梯度能級核殼結構量子點，其特征在于：所述CdS/CdxZn1-xS/ZnS量子點中，種子晶體CdS的光致發光范圍為375～435nm；在CdSySe1-y/CdS/CdxZn1-xS/ZnS量子點中，種子晶體CdSySe1-y的光致發光范圍為430～500nm；在CdSe/CdSySe1-y/CdS/CdxZn1-xS/ZnS量子點中，種子晶體CdSe的光致發光范圍為520～580nm。
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