[發明專利]浪涌防護方法及裝置、防護電路、存儲介質

在審

• 申請號: 201910975167.2
• 申請日: 2019-10-14
• 公開（公告）號: CN112736883A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 謝長江;趙晶;周先馳;黃國強;李新
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 王曉婷

1.一種防護電路，其特征在于，包括第一熔斷單元、防護單元、單向導通單元、儲能單元和儲能泄放單元，其中，

所述第一熔斷單元與所述單向導通單元分別連接電源的正極，所述防護單元與所述儲能單元分別連接所述電源的負極，所述第一熔斷單元和所述防護單元串聯連接，所述單向導通單元與所述儲能單元串聯連接，在所述儲能單元處并聯儲能泄放單元，所述電源與MOS管串聯；其中，

在電源的輸入電壓為所述電源的正常電壓的情況下，所述第一熔斷單元與所述防護單元不導通；所述單向導通單元與所述儲能單元不導通；所述MOS管在所述正常電壓下工作；

在電源的輸入電壓為正向浪涌電壓的情況下，所述第一熔斷單元與所述防護單元導通；所述單向導通單元與所述儲能單元不導通；

在電源的輸入電壓為負向浪涌電壓的情況下，所述第一熔斷單元與所述防護單元不導通；所述單向導通單元與所述儲能單元導通。

2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一熔斷單元與所述防護單元導通和所述單向導通單元與所述儲能單元不導通，以使所述正向浪涌電壓箝位到指定電壓下，其中，所述MOS管在所述指定電壓下工作。

3.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述第一熔斷單元與所述防護單元不導通；所述單向導通單元與所述儲能單元導通；以使所述儲能單元獲取所述負向浪涌電壓的部分或全部電壓。

4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述儲能泄放單元，還用于在預定時間后，將所述儲能單元中的所述負向浪涌電壓的部分或全部電壓泄放。

5.根據權利要求1至4任一項所述的電路，其特征在于，所述防護電路還包括：第二熔斷單元，分別與所述電源的負極，所述防護單元，所述儲能單元連接，用于在以下任一單元出現異常時，斷開所述第二熔斷單元：所述單向導通單元，所述儲能單元，所述儲能泄放單元。

6.一種浪涌防護方法，其特征在于，應用于權利要求1至5任一項所述的防護電路，所述方法包括：

在電源輸入所述防護電路的電壓為所述電源的正常電壓的情況下，所述第一熔斷單元與所述防護單元不導通；所述單向導通單元與所述儲能單元不導通；所述MOS管在所述正常電壓下工作；

在電源輸入所述防護電路的電壓為正向浪涌電壓的情況下，所述第一熔斷單元與所述防護單元導通；所述單向導通單元與所述儲能單元不導通；

在電源輸入所述防護電路的電壓為負向浪涌電壓的情況下，所述第一熔斷單元與所述防護單元不導通；所述單向導通單元與所述儲能單元導通。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述第一熔斷單元與所述防護單元導通和所述單向導通單元與所述儲能單元不導通的情況下，將所述正向浪涌電壓箝位到指定電壓下，其中，所述MOS管在所述指定電壓下工作。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述第一熔斷單元與所述防護單元不導通和所述單向導通單元與所述儲能單元導通的情況下，通過所述儲能單元獲取所述負向浪涌電壓的部分或全部電壓，在預定時間后，通過所述儲能泄放單元將所述負向浪涌電壓的部分或全部電壓泄放，以使所述MOS管正常工作。

9.一種浪涌防護裝置，其特征在于，應用于權利要求1至5任一項所述的防護電路，所述裝置包括：

第一處理模塊，用于在電源輸入所述防護電路的電壓為所述電源的正常電壓的情況下，所述第一熔斷單元與所述防護單元不導通；所述單向導通單元與所述儲能單元不導通；所述MOS管在所述正常電壓下工作；

第二處理模塊，用于在電源輸入所述防護電路的電壓為正向浪涌電壓的情況下，所述第一熔斷單元與所述防護單元導通；所述單向導通單元與所述儲能單元不導通；

第三處理模塊，用于在電源輸入所述防護電路的電壓為負向浪涌電壓的情況下，所述第一熔斷單元與所述防護單元不導通；所述單向導通單元與所述儲能單元導通。

10.一種存儲介質，其特征在于，所述存儲介質中存儲有計算機程序，其中，所述計算機程序被設置為運行時執行所述權利要求6至8任一項中所述的方法。