[發(fā)明專利]基于碳化硅襯底的半導體結(jié)構(gòu)制備方法及半導體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910975090.9
• 申請日: 2019-10-14
• 公開（公告）號: CN110993505B
• 公開（公告）日: 2023-08-04
• 發(fā)明（設計）人: 賈仁需;于淼;余建剛;王卓
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L21/363
• 分類號: H01L21/363;H01L29/24;H01L31/032
• 代理公司: 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種基于碳化硅襯底的半導體結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，包括：

選取碳化硅襯底層；

在氧氣和氬氣環(huán)境下，利用磁控濺射工藝在所述碳化硅襯底層表面上濺射Ga₂O₃靶材和In₂O₃靶材生成(In_xGa_1-x)₂O₃材料層；

在氧氣、真空和氮氣環(huán)境中依次對所述(In_xGa_1-x)₂O₃材料層進行退火處理形成所述(In_xGa_1-x)₂O₃緩沖層；

在所述(In_xGa_1-x)₂O₃緩沖層表面上制備Ga₂O₃薄膜層；

所述(In_xGa_1-x)₂O₃緩沖層中x的取值范圍是0.58～0.76；

所述(In_xGa_1-x)₂O₃緩沖層的厚度為100±5nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳化硅襯底的半導體結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，所述碳化硅襯底層的厚度為300μm～700μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳化硅襯底的半導體結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，利用磁控濺射工藝在所述碳化硅襯底層表面上濺射Ga₂O₃靶材和In₂O₃靶材生成(In_xGa_1-x)₂O₃材料層，包括：

在真空度為5×10^-4～7×10^-4Pa的條件下，利用磁控濺射工藝在所述碳化硅襯底層表面上濺射Ga₂O₃靶材和In₂O₃靶材生成(In_xGa_1-x)₂O₃材料層，其中，濺射所述Ga₂O₃靶材的濺射功率為60W，濺射所述In₂O₃靶材的濺射功率為60W～80W。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于碳化硅襯底的半導體結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，在所述(In_xGa_1-x)₂O₃緩沖層表面上制備Ga₂O₃薄膜層，包括：

在氬氣環(huán)境下，利用磁控濺射工藝在所述(In_xGa_1-x)₂O₃緩沖層表面上濺射Ga₂O₃靶材生成Ga₂O₃薄膜層。