[發(fā)明專利]測(cè)量薄膜摻雜比例的裝置及測(cè)量方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910974534.7 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110596027B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 錢宏昌;馮永山;何信儒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;綿陽(yáng)京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/31 | 分類號(hào): | G01N21/31;G01N21/27;G01N21/25;G01N21/01;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尚偉凈 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測(cè)量 薄膜 摻雜 比例 裝置 測(cè)量方法 | ||
1.一種利用測(cè)量有機(jī)半導(dǎo)體摻雜比例的裝置測(cè)量的方法,其特征在于,
所述測(cè)量有機(jī)半導(dǎo)體摻雜比例的裝置包括:
傳感器,所述傳感器被配置為可檢測(cè)待測(cè)量薄膜的I/V 曲線;所述傳感器包括:襯底、檢測(cè)電極以及絕緣層,所述檢測(cè)電極包括第一電極層和第二電極層,所述第一電極層設(shè)置在所述襯底的一側(cè),所述絕緣層設(shè)置在所述第一電極層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè),所述第二電極層設(shè)置在所述絕緣層遠(yuǎn)離所述第一電極層的一側(cè),所述第二電極層包括第一子電極和第二子電極,所述第一子電極和所述第二子電極間隔設(shè)置,所述第一子電極和所述第二子電極之間的間隔用于容納所述待測(cè)量薄膜;
遮光結(jié)構(gòu)和光源,所述遮光結(jié)構(gòu)具有漏光區(qū)域,且所述光源發(fā)出的光可通過所述遮光結(jié)構(gòu)的漏光區(qū)域照射至所述待測(cè)量薄膜,所述遮光結(jié)構(gòu)位于所述第二電極層遠(yuǎn)離所述絕緣層的一側(cè),所述遮光結(jié)構(gòu)的漏光區(qū)域在所述襯底上的正投影至少覆蓋所述第一子電極和所述第二子電極之間的間隔在所述襯底上的正投影;所述光源包括多個(gè)單色光光源,
或者,所述光源為白光光源,所述白光光源以及所述遮光結(jié)構(gòu)之間包括至少一個(gè)濾光片,所述白光光源發(fā)出的光可經(jīng)過所述濾光片后,通過所述遮光結(jié)構(gòu)的漏光區(qū)域照射至所述待測(cè)量薄膜;
所述方法包括:
在所述傳感器上形成所述待測(cè)量薄膜;
利用所述傳感器檢測(cè)所述待測(cè)量薄膜在暗態(tài)下的I/V曲線;
打開所述光源,所述光源發(fā)出的光經(jīng)所述遮光結(jié)構(gòu)的漏光區(qū)域照射至所述待測(cè)量薄膜,所述光源為單色光光源,
或者,所述光源為白光光源,所述白光光源發(fā)出的光經(jīng)所述濾光片后,再通過所述遮光結(jié)構(gòu)的漏光區(qū)域照射至所述待測(cè)量薄膜;
利用所述傳感器檢測(cè)所述待測(cè)量薄膜在亮態(tài)下的I/V曲線;
根據(jù)所述暗態(tài)下的I/V曲線以及所述亮態(tài)下的I/V曲線,確定所述待測(cè)量薄膜的光響應(yīng)度以及光暗電流比;
根據(jù)待測(cè)量薄膜的光響應(yīng)度以及預(yù)存的摻雜元素的光響應(yīng)度與摻雜比例的對(duì)應(yīng)關(guān)系表,以及根據(jù)待測(cè)量薄膜的光暗電流比以及預(yù)存的摻雜元素的光暗電流比與摻雜比例的對(duì)應(yīng)關(guān)系表,確定所述待測(cè)量薄膜的摻雜比例。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,多個(gè)所述單色光光源的波長(zhǎng)互不相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述白光光源以及所述遮光結(jié)構(gòu)之間包括多個(gè)所述濾光片,多個(gè)所述濾光片過濾的光的波長(zhǎng)不完全相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一電極層在所述襯底上的正投影至少覆蓋所述第一子電極和所述第二子電極之間的間隔在所述襯底上的正投影。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一子電極和所述第二子電極分別獨(dú)立的包括多個(gè)平行排布的第一部,以及連接多個(gè)第一部的第二部,所述第一部沿第一方向延伸,所述第二部沿第二方向延伸,所述第一子電極中的所述第一部和所述第二子電極中的所述第一部之間的間隔沿所述第二方向延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述測(cè)量有機(jī)半導(dǎo)體摻雜比例的裝置進(jìn)一步包括:
多路開關(guān),所述多路開關(guān)分別與所述第一子電極和所述第二子電極電連接;
信號(hào)分析儀,所述信號(hào)分析儀與所述多路開關(guān)電連接;
主處理器,所述主處理器與所述信號(hào)分析儀電連接;
膜厚傳感器,所述膜厚傳感器與所述主處理器電連接。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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