[發明專利]一種發光器件、制作方法、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201910974036.2 | 申請日: | 2019-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN110571356B | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發明(設計)人: | 黃燦;史大為;賴韋霖;鮑建東;楊璐;王文濤;程立技 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光 器件 制作方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種發光器件,其特征在于,包括:基底,以及依次設置在所述基底之上的第二電極、發光層、第一電極;其特征在于,
在所述第一電極的出光側之上,還設置有光耦合層,沿所述發光器件的中心區域指向所述發光器件的邊緣區域的方向,所述光耦合層的厚度依次遞減;
所述光耦合層包括多個子光耦合層,所述多個子光耦合層相堆疊形成臺階結構。
2.根據權利要求1所述的發光器件,其特征在于,所述多個子光耦合層中,各子光耦合層的材料相同。
3.根據權利要求1所述的發光器件,其特征在于,所述多個子光耦合層包括第一子光耦合層、第二子光耦合層和第三子光耦合層;其中,
所述第一子光耦合層位于所述第一電極背離所述發光層一側,所述第二子光耦合層位于所述第一子光耦合 層背離所述第一電極一側,所述第三子光耦合層位于所述第二子光耦合層背離所述第一子光耦合層一側;
所述第一子光耦合層、所述第二子光耦合層、所述第三子光耦合層的中心,在所述基底上的正投影相重疊,且在平行于所述基底的任一方向上,所述第三子光耦合層的長度小于所述第二子光耦合層的長度,所述第二子光耦合層的長度小于所述第一子光耦合層的長度。
4.根據權利要求3所述的發光器件,其特征在于,若所述第一子光耦合層、所述第二子光耦合層、所述第三子光耦合層的折射率相同,所述第一子光耦合層的厚度T1、所述第二子光耦合層的厚度T2、所述第三子光耦合層的厚度T3滿足:
其中,α為第一視角相對于正視角的傾斜角度,所述發光器件從所述第一視角出射的光線僅經過所述第一子光耦合層和所述第二子光耦合層;
β為第二視角相對于正視角的傾斜角度,所述發光器件從所述第二視角出射的光線僅經過所述第一子光耦合層,且βα。
5.根據權利要求4所述的發光器件,其特征在于,在平行于所述基底的任一方向上,所述第二子光耦合層的長度H2≥2×tanα×(T1+T2);
所述第一子光耦合層的長度H1≥2×tanβ×T1。
6.根據權利要求5所述的發光器件,其特征在于,若α=30°,β=60°,在平行于所述基底的任一方向上,所述第一子光耦合層的長度H1與所述第二子光耦合層的長度H2的比值大于等于3。
7.根據權利要求1所述的發光器件,其特征在于,所述光耦合層在所述基底的正投影包括矩形或圓形。
8.根據權利要求1所述的發光器件,其特征在于,所述發光層包括紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素;
或,
所述發光層包括紅色子像素、綠色子像素、藍色子像素、黃色子像素。
9.一種發光器件的制備方法,其特征在于,包括:
制作基底;
在所述基底之上制作第二電極;
在所述第二電極之上制作發光層;
在所述發光層之上制作第一電極;
在所述第一電極之上形成光耦合層,使得沿所述發光器件的中心區域指向所述發光器件的邊緣區域的方向,所述光耦合層的厚度依次遞減;
在所述第一電極之上形成光耦合層具體包括:
在所述第一電極之上,依次蒸鍍所述光耦合層中的各個子光耦合層,使得各個所述子光耦合層相堆疊形成臺階結構。
10.一種顯示面板,其特征在于,包括多個權利要求1-8任一所述的發光器件。
11.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求10所述的顯示面板。
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