[發(fā)明專利]一種陣列基板、制作方法和顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910973243.6 | 申請日: | 2019-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN110690261B | 公開(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張振華;王本蓮;唐國強;孫闊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生輝 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 制作方法 顯示 面板 | ||
1.一種陣列基板,包括顯示區(qū)域和屏下攝像頭區(qū)域,其特征在于,
所述顯示區(qū)域包括多個陣列排布的主動驅動式有機發(fā)光二極管單元,所述主動驅動式有機發(fā)光二極管單元包括:第一有機發(fā)光二極管和驅動所述第一有機發(fā)光二極管發(fā)光的驅動薄膜晶體管,
其中,所述顯示區(qū)域還包括:
形成在襯底上的柵極和有源層;
與所述有源層電連接的源極和漏極;
覆蓋所述源極和漏極的平坦化層;
形成在平坦化層上的第一有機發(fā)光二極管的陽極,所述陽極與所述源極和漏級中的一個電連接;
形成在所述陽極上的第一有機發(fā)光二極管的有機發(fā)光層;
形成在所述有機發(fā)光層上的第一有機發(fā)光二極管的陰極;
所述屏下攝像頭區(qū)域包括:多個陣列排布的被動驅動式有機發(fā)光二極管單元以及位于所述被動驅動式有機發(fā)光二極管單元遠離出光側的走線區(qū),所述被動驅動式有機發(fā)光二極管單元包括第二有機發(fā)光二極管,所述走線區(qū)包括柵極信號線和數據信號線;
所述屏下攝像頭區(qū)域還包括:
貫通所述陣列基板的用于設置屏下攝像頭的通孔,
圍繞所述通孔的與所述柵極同層設置的所述柵極信號線;
與所述源極和漏極同層設置的所述數據信號線;
與所述第一有機發(fā)光二極管的陽極同層設置的第二有機發(fā)光二極管的陽極;
與所述第一有機發(fā)光二極管的有機發(fā)光層同層設置的第二有機發(fā)光二極管的有機發(fā)光層;
與所述第一有機發(fā)光二極管的陰極同層設置的第二有機發(fā)光二極管的陰極;
覆蓋所述第一有機發(fā)光二極管的陰極和所述第二有機發(fā)光二極管的陰極的封裝層;
覆蓋所述封裝層的蓋板。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
所述驅動薄膜晶體管的柵極電連接對應的柵極信號線,所述驅動薄膜晶體管的源極和漏級中的一個電連接對應的數據信號線,所述驅動薄膜晶體管的源極和漏級中的另一個電連接所述第一有機發(fā)光二極管的陽極;
所述第二有機發(fā)光二極管的陽極電連接同列的第一發(fā)光二極管對應的數據信號線。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括與所述驅動薄膜晶體管的源極和漏級同層設置的與各所述第二有機發(fā)光二極管的陽極對應的連接金屬;
所述第二有機發(fā)光二極管的陽極通過過孔連接對應的連接金屬,通過所述連接金屬連接其所屬列相鄰的所述第一有機發(fā)光二極管的陽極所連接的驅動薄膜晶體管的源極或漏級;
和/或
所述第二有機發(fā)光二極管的陽極通過過孔連接對應的連接金屬,通過所述連接金屬連接其所屬列相鄰的通過過孔連接到對應的連接金屬的所述第二有機發(fā)光二極管的陽極。
4.根據權利要求2或3所述的陣列基板,其特征在于,所述被動驅動式有機發(fā)光二極管單元還包括:
位于各第二有機發(fā)光二極管間的用于隔離陰極的隔離柱;
或者
位于各第二有機發(fā)光二極管間的用于隔離陰極的界定部。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述被動驅動式有機發(fā)光二極管單元還包括與每行第二有機發(fā)光二極管對應的第一開關薄膜晶體管,其中
所述第一開關薄膜晶體管的柵極與該行所述第一有機發(fā)光二極管對應的柵極信號線連接,所述第一開關薄膜晶體管的源極和漏極中的一個與該行的第二有機發(fā)光二極管的陰極連接,所述第一開關薄膜晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第二有機發(fā)光二極管的陰極的電源信號連接。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,
所述屏下攝像頭區(qū)域為圓環(huán)狀,所述被動驅動式有機發(fā)光二極管單元包括呈圓環(huán)狀環(huán)繞所述攝像頭的第二有機發(fā)光二極管;
或者
所述屏下攝像頭區(qū)域為矩形狀,所述被動驅動式有機發(fā)光二極管單元包括呈矩形狀陣列排布的環(huán)繞所述攝像頭的第二有機發(fā)光二極管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





