[發明專利]存儲器芯片的失效分析方法有效
| 申請號： | 201910972844.5 | 申請日： | 2019-10-14 |
| 公開（公告）號： | CN110706732B | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發明（設計）人： | 李輝 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | G11C29/02 | 分類號： | G11C29/02;G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 存儲器 芯片 失效 分析 方法 | ||
1.一種存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，包括：
確定失效點所在的熱點區域；
確認存在漏電的字線；
對所述存在漏電的字線施加偏壓，同時觀察位于所述熱點區域內的位線的電壓襯度，直至尋找到所述熱點區域內出現異常電壓襯度的失效位線；
對所述失效位線進行失效分析。
2.根據權利要求1所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，還包括：在尋找所述失效位線的過程中，調整所述偏壓。
3.根據權利要求1所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述偏壓的范圍為-3V～3V。
4.根據權利要求1所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述偏壓小于0。
5.根據權利要求1所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述異常電壓襯度為亮度大于其他位線的電壓襯度。
6.根據權利要求1所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，采用電子掃描透鏡觀察熱點區域內的位線的電壓襯度。
7.根據權利要求1所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，還包括：尋找到失效位線后，對所述失效位線的位置進行保存。
8.根據權利要求7所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，通過電子掃描透鏡拍照保存所述失效位線的位置。
9.根據權利要求1所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，通過納米探針檢測字線的電性參數，從而確認存在漏電的字線。
10.根據權利要求1所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述對所述失效位線進行失效分析包括：利用聚焦離子束對所述存儲器芯片進行切割，形成包括所述失效位線在內的測試樣品。
11.根據權利要求1所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述存儲器芯片的各個字線上均形成有接觸孔；通過納米探針對所述存在漏電的字線上的接觸孔施加所述偏壓。
12.根據權利要求1所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，通過光發射方法或光致阻變方法中的一種或幾種方法確定所述熱點區域。
13.根據權利要求1所述的存儲器芯片的失效分析方法，其特征在于，所述存儲器芯片為3D NAND芯片。
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