[發(fā)明專利]SiC單晶制造裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910972545.1 | 申請(qǐng)日： | 2019-10-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111058094B | 公開（公告）日： | 2021-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 歌代智也 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 昭和電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | C30B29/36 | 分類號(hào)： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人： | 張軼楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | sic 制造 裝置 | ||
1.一種SiC單晶制造裝置，其特征在于，具備：
晶體生長(zhǎng)用容器，其容納SiC原料；
絕熱件，其覆蓋所述晶體生長(zhǎng)用容器的周圍；
加熱器，其對(duì)所述晶體生長(zhǎng)用容器進(jìn)行加熱；以及
保持構(gòu)件，其保持所述晶體生長(zhǎng)用容器，
所述晶體生長(zhǎng)用容器被所述保持構(gòu)件以懸空狀態(tài)保持，
所述保持構(gòu)件具有：
基座；
固定于所述基座的支柱；以及
配備于所述支柱的突起部，
通過使所述突起部與所述晶體生長(zhǎng)用容器的側(cè)面接合，以懸空狀態(tài)保持所述晶體生長(zhǎng)用容器，
所述保持構(gòu)件被貫通所述絕熱件的主軸保持。
2.一種SiC單晶制造裝置，其特征在于，具備：
晶體生長(zhǎng)用容器，其容納SiC原料；
絕熱件，其覆蓋所述晶體生長(zhǎng)用容器的周圍；
加熱器，其對(duì)所述晶體生長(zhǎng)用容器進(jìn)行加熱；以及
保持構(gòu)件，其保持所述晶體生長(zhǎng)用容器，
所述晶體生長(zhǎng)用容器被所述保持構(gòu)件以懸空狀態(tài)保持，
所述保持構(gòu)件具有：
第一保持部，其固定于所述SiC單晶制造裝置；
第二保持部，其固定于所述第一保持部；以及
接合部，其與所述晶體生長(zhǎng)用容器和所述第二保持部接合，
通過使所述接合部與所述晶體生長(zhǎng)用容器的側(cè)面接合，以懸空狀態(tài)保持所述晶體生長(zhǎng)用容器，
所述保持構(gòu)件被貫通所述絕熱件的主軸保持。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC單晶制造裝置，
所述基座配置于所述晶體生長(zhǎng)用容器的上方，
所述支柱朝向下方延伸。
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