[發明專利]嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封裝結構及其制作方法在審
| 申請號: | 201910968164.6 | 申請日: | 2019-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN110600438A | 公開(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發明(設計)人: | 林挺宇;杜毅嵩 | 申請(專利權)人: | 廣東佛智芯微電子技術研究有限公司;廣東芯華微電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/29 | 分類號: | H01L23/29;H01L23/31;H01L25/16;H01L23/373;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 44502 廣州鼎賢知識產權代理有限公司 | 代理人: | 劉莉梅 |
| 地址: | 528225 廣東省佛山市南海區獅山鎮*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 被動元件 安裝孔 塑封層 芯片 扇出型封裝 填充樹脂 重布線層 多芯片 復合層 嵌入式 側面 無機物顆粒 封裝結構 金屬凸塊 散熱效率 芯片封裝 變形的 電連接 焊盤區 微系統 側壁 翹曲 填充 焊接 對抗 制作 | ||
1.一種嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封裝結構,其特征在于,包括:
塑封層,沿其厚度方向開設有安裝孔,所述塑封層沿其厚度方向具有第一側面和第二側面;
若干第一芯片及若干第一被動元件,位于所述安裝孔內,所述第一芯片和所述第一被動元件的正面朝向所述第一側面,且所述第一芯片、所述第一被動元件與所述安裝孔的側壁之間填充有復合層,所述復合層包括填充樹脂和均勻分布于所述填充樹脂中的無機物顆粒;
重布線層,位于所述塑封層的第一側面,并與所述第一芯片和所述第一被動元件電連接,所述重布線層具有焊盤區和非焊盤區;
金屬凸塊,與所述重布線層的焊盤區焊接。
2.根據權利要求1所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封裝結構,其特征在于,所述填充樹脂為環氧樹脂;所述塑封層為EMC。
3.根據權利要求1所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封裝結構,其特征在于,還包括:
介電層,位于所述塑封層的第一側面,且所述介電層上開設有使所述第一芯片和所述第一被動元件的電信號連接處外露的通孔;
種子層,覆蓋所述介電層和所述通孔的內壁,所述重布線層位于所述種子層上,且所述種子層和所述重布線層具有使部分所述介電層外露的圖形化孔;
電連接柱,填充于所述通孔內并連接所述種子層和所述重布線層。
4.根據權利要求3所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封裝結構,其特征在于,還包括阻焊層,所述阻焊層覆蓋所述圖形化孔和所述重布線層的非焊盤區。
5.根據權利要求4所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封裝結構,其特征在于,還包括位于所述阻焊層遠離所述塑封層一側的若干第二芯片或第二被動元件,所述金屬凸塊包括第一金屬凸塊和尺寸小于所述第一金屬凸塊的第二金屬凸塊,所述第二芯片或第二被動元件與所述第二金屬凸塊焊接。
6.一種嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封裝結構的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
S10、采用塑封料制作塑封層,并在所述塑封層上開設安裝孔;
S20、提供若干第一芯片和若干第一被動元件,將所述第一芯片和所述第一被動元件置于所述安裝孔內,并采用由填充樹脂和無機物顆粒復合而成的復合材料對所述第一芯片、所述第一被動元件和所述安裝孔之間的間隙進行填充;
S30、制作重布線層,將所述第一芯片和所述第一被動元件的電信號引出與所述重布線層電連接;
S40、提供金屬凸塊,將所述金屬凸塊與所述重布線層的焊盤區焊接。
7.根據權利要求6所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封裝結構的制作方法,其特征在于,步驟S10具體包括以下步驟:
S10a、提供載板和臨時鍵合膠,將所述臨時鍵合膠貼于所述載板沿其厚度方向的一側面;
S10b、提供塑封料,在所述載板貼有所述臨時鍵合膠的一側面進行塑封,塑封料固化后形成所述塑封層;
S10c、在所述塑封層沿其厚度方向開設安裝孔。
8.根據權利要求7所述的嵌入式多芯片及元件SIP扇出型封裝結構的制作方法,其特征在于,步驟S20具體包括以下步驟:
S20a、提供若干第一芯片和若干第一被動元件,將所述第一芯片和所述第一被動元件正面貼于所述安裝孔內的臨時鍵合膠上;
S20b、提供由環氧樹脂和無機物顆粒復合而成的復合材料,將所述復合材料填充于所述第一芯片、所述第一被動元件和所述安裝孔之間的間隙中,復合材料固化后形成復合層;
S20c、拆除所述載板、去除所述臨時鍵合膠。
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