[發明專利]肖特基二極管的制備方法

有效

• 申請號: 201910967981.X
• 申請日: 2019-10-12
• 公開（公告）號: CN110676308B
• 公開（公告）日: 2022-12-20
• 發明（設計）人: 王元剛;馮志紅;呂元杰;周幸葉;譚鑫;韓婷婷;梁士雄
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 李坤

1.一種肖特基二極管的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上外延第一n型氧化鎵層；

在所述第一n型氧化鎵層上制備再生長掩膜層；其中，所述再生長掩膜層位于待制備的凹槽結構所對應的區域；

制備再生長掩膜層后，外延第二n型氧化鎵層；其中，所述再生長掩膜層的厚度是所述第二n型氧化鎵層厚度的5倍以上；

通過濕法腐蝕將所述再生長掩膜層和所述再生長掩膜層上方的所述第二n型氧化鎵層去除，形成凹槽結構；

在形成凹槽結構后，淀積絕緣介質層；

將與所述凹槽結構對應區域以外的絕緣介質層去除；

制備正面陽極金屬；

制備背面陰極金屬。

2.如權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，在襯底上外延第一n型氧化鎵層之前，還包括：

在襯底上外延第三n型氧化鎵層；其中，所述第一n型氧化鎵層的摻雜濃度小于所述第三n型氧化鎵層的摻雜濃度。

3.如權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述在所述第一n型氧化鎵層上制備再生長掩膜層，包括：

在所述第一n型氧化鎵層上淀積掩膜層；

通過光刻和濕法腐蝕將待制備的凹槽結構所對應的區域以外的掩膜層去除，使待制備的凹槽結構所對應的區域的掩膜層形成再生長掩膜層。

4.如權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述再生長掩膜層包括SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、HfO₂和MgO中的任意一種。

5.如權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，

所述第二n型氧化鎵層的摻雜濃度小于或等于所述第一n型氧化鎵層的摻雜濃度；

當所述第二n型氧化鎵層為從上至下濃度增加的多層結構時，最下層的n型氧化鎵層的摻雜濃度小于或等于所述第一n型氧化鎵層的摻雜濃度。

6.如權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述通過濕法腐蝕將所述再生長掩膜層和所述再生長掩膜層上方的所述第二n型氧化鎵層去除，形成凹槽結構，包括：

將外延了第二n型氧化鎵層的外延片投入預設溶液中，直至將所述再生長掩膜層去除，其中，所述預設溶液為所述再生長掩膜層的腐蝕液。

7.如權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述絕緣介質層包括SiO₂、Si₃N₄、AlN、HfTiO、Sc₂O₃、Ga₂O₃、Al₂O₃、HfO₂、SiNO和MgO中的任意一種。

8.如權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述將與所述凹槽結構以外區域對應的絕緣介質層去除，包括：

通過干法刻蝕工藝刻蝕或濕法腐蝕工藝腐蝕與所述凹槽結構對應的區域以外的絕緣介質層。

9.如權利要求1所述的肖特基二極管的制備方法，其特征在于，所述陽極金屬包括Ti/Au合金和Ti/Al/Ni/Au合金中的任意一種。