[發(fā)明專利]單環(huán)洼槽型曲面陰極三背弧層門控結構的發(fā)光背光源

在審

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• 申請日: 2019-10-12
• 公開（公告）號: CN110676140A
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發(fā)明（設計）人: 李玉魁
• 申請（專利權）人: 金陵科技學院
• 主分類號: H01J17/06
• 分類號: H01J17/06;H01J17/04;H01J17/12;H01J17/38;H01J17/48;H01J9/02;H01J9/20
• 代理公司: 32237 江蘇圣典律師事務所
• 代理人: 胡建華

本發(fā)明公開了一種單環(huán)洼槽型曲面陰極三背弧層門控結構的發(fā)光背光源，包括真空封閉體以及位于真空封閉體內的消氣劑附屬元件；所述的真空封閉體由前透硬玻璃板、后透硬玻璃板和玻璃窄框條構成；在前透硬玻璃板上設有陽極底膜傳電層、陽極彎連銀電層和薄發(fā)光層，所述的陽極底膜傳電層和陽極彎連銀電層相連，所述的薄發(fā)光層制作在陽極底膜傳電層上面；在后透硬玻璃板上設有單環(huán)洼槽型曲面陰極三背弧層門控結構。具有制作工藝可靠、發(fā)光背光源的發(fā)光灰度可調節(jié)性能良好的優(yōu)點。

技術領域

本發(fā)明屬于平面顯示技術領域、真空科學與技術領域、半導體科學與技術領域、微電子科學與技術領域、納米科學與技術領域、集成電路科學與技術領域以及光電子科學與技術領域的相互交叉領域，涉及到平面發(fā)光背光源的制作，具體涉及到碳納米管陰極的平面發(fā)光背光源的制作，特別涉及到一種單環(huán)洼槽型曲面陰極三背弧層門控結構的發(fā)光背光源及其制作工藝。

背景技術

碳納米管具有小的尖端曲率半徑，同時還擁有良好的導電性能及極佳的機械強度，更是一種適宜的陰極制作材料，已被廣泛應用于各類真空元器件中。對于碳納米管陰極的制作，在有關碳納米管的制備工藝、用于改善其電子發(fā)射特性的碳納米管后處理工藝、以及碳納米管漿料的配比工藝等方面，眾多科研人員都進行了大量研究。利用碳納米管作為陰極材料的發(fā)光背光源，是一種具有良好圖像顯示性能的設備。

然而，在三極結構的發(fā)光背光源中，還存在一些技術困難需要解決。諸如，一方面，門極電壓對碳納米管層電子發(fā)射的調控性能比較差。較小的門極電壓根本就不能令碳納米管陰極進行電子發(fā)射，而較大的門極電壓則又容易使得碳納米管陰極的電子發(fā)射變得易于失控；同時，碳納米管陰極的電子發(fā)射數(shù)量，并不是嚴格隨著門極電壓的變化而變化，這些都是門極電壓對碳納米管陰極失去良好控制功能的表現(xiàn)。第二方面，碳納米管陰極的電子發(fā)射效率比較低。沒有足夠數(shù)量的碳納米管同時進行電子發(fā)射，是無法形成發(fā)光背光源的大陰極電流的。然而在碳納米管陰極中，有的碳納米管根本就不發(fā)射電子，失去了其作為陰極的本質功能；有的碳納米管盡管能夠發(fā)射電子，但是其發(fā)射電子的數(shù)量過小，也不足以其充當電子源的作用。第三方面，碳納米管層的面積很小。也就是說，碳納米管的數(shù)量過少。這些技術困難還需要仔細研究并采取相應有效措施。

發(fā)明內容

發(fā)明目的：本發(fā)明的目的在于克服上述發(fā)光背光源中存在的缺陷和不足而提供一種制作工藝可靠的、發(fā)光背光源的發(fā)光灰度可調節(jié)性能良好的單環(huán)洼槽型曲面陰極三背弧層門控結構的發(fā)光背光源及其制作工藝。

技術方案：本發(fā)明的單環(huán)洼槽型曲面陰極三背弧層門控結構的發(fā)光背光源，包括真空封閉體以及位于真空封閉體內的消氣劑附屬元件；所述的真空封閉體由前透硬玻璃板、后透硬玻璃板和玻璃窄框條構成；在前透硬玻璃板上設有陽極底膜傳電層、陽極彎連銀電層和薄發(fā)光層，所述的陽極底膜傳電層和陽極彎連銀電層相連，所述的薄發(fā)光層制作在陽極底膜傳電層上面；在后透硬玻璃板上設有單環(huán)洼槽型曲面陰極三背弧層門控結構。