[發(fā)明專利]一種可控硅門極與陽極短接的低正向鉗位電壓開關(guān)二極管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910966898.0
• 申請(qǐng)日: 2019-10-12
• 公開（公告）號(hào): CN110571279A
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙德益;蘇海偉;呂海鳳;王允;趙志方;葉毓明;馮星星;李亞文;吳青青;張利明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海長園維安微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/861
• 分類號(hào): H01L29/861;H01L29/87;H01L29/06
• 代理公司: 31298 上海諾衣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 衣然

1.一種可控硅門極與陽極短接的低正向鉗位電壓開關(guān)二極管，包括由襯底材料或襯底材料外延層、N型阱、P型阱、N型重?fù)诫s和P型重?fù)诫s構(gòu)成的半導(dǎo)體主體，通過適當(dāng)設(shè)計(jì)N型阱、P型阱、N型摻雜和P型摻雜的尺寸和間距構(gòu)成可控硅結(jié)構(gòu)，其特征在于，通過金屬連接將控硅結(jié)構(gòu)的門極和陽極短接形成開關(guān)二極管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可控硅門極與陽極短接的低正向鉗位電壓開關(guān)二極管，其特征在于，所述可控硅包括兩個(gè)門極，均與陽極短接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的可控硅門極與陽極短接的低正向鉗位電壓開關(guān)二極管，其特征在于，所述襯底材料為P型襯底或N型襯底，襯底材料外延層為在襯底材料上形成的P外延層或在襯底材料上形成的N外延層，可控硅結(jié)構(gòu)制作在P型襯底、N型襯底內(nèi)、在襯底材料上形成的P外延內(nèi)或在襯底材料上形成的N外延內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可控硅門極與陽極短接的低正向鉗位電壓開關(guān)二極管，其特征在于，所述P型襯底、N型襯底、在襯底材料上形成的P外延層及在襯底材料上形成的N外層，其電阻率均大于等于1Ω·cm。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可控硅門極與陽極短接的低正向鉗位電壓開關(guān)二極管，其特征在于，通過N型重?fù)诫s和P型重?fù)诫s與金屬形成歐姆接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可控硅門極與陽極短接的低正向鉗位電壓開關(guān)二極管，其特征在于，通過N阱與P阱與金屬形成歐姆接觸。