[發明專利]基于雙控制柵的復合介質柵可控自增益光敏探測器件在審
| 申請號： | 201910966070.5 | 申請日： | 2019-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN110828605A | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發明（設計）人： | 馬浩文 | 申請（專利權）人： | 南京威派視半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/113 | 分類號： | H01L31/113 |
| 代理公司： | 江蘇法德東恒律師事務所 32305 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 211135 江蘇省南京市江寧區麒*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 控制 復合 介質 可控 增益 光敏 探測 器件 | ||
1.基于雙控制柵的復合介質柵可控自增益光敏探測器件，其特征在于，光敏探測器件包括復合介質柵、MOS電容和感光晶體管，所述復合介質柵的P型基底上方依次設有底層介質層、浮柵和頂層介質層，頂層介質層上方設有MOS電容的控制柵極和感光晶體管的控制柵極，感光晶體管的控制柵極通過互連導線和P型基底連接；所述MOS電容和感光晶體管設置在P型基底內，并通過淺槽隔離；所述感光晶體管設有源極和漏極；所述MOS電容和感光晶體管之間通過浮柵相連。
2.根據權利要求1所述的基于雙控制柵的復合介質柵可控自增益光敏探測器件，其特征在于，所述浮柵是電子導體或半導體。
3.根據權利要求1所述的基于雙控制柵的復合介質柵可控自增益光敏探測器件，其特征在于，所述MOS電容和感光晶體管共用浮柵。
4.根據權利要求1所述的基于雙控制柵的復合介質柵可控自增益光敏探測器件，其特征在于，所述MOS電容的控制柵極和感光晶體管的控制柵極為多晶硅、金屬或透明導電電極。
5.根據權利要求1所述的基于雙控制柵的復合介質柵可控自增益光敏探測器件，其特征在于，所述感光晶體管的控制柵極或P型基底至少有一處為對探測器探測波長透明或半透明的窗口。
6.根據權利要求1所述的基于雙控制柵的復合介質柵可控自增益光敏探測器件，其特征在于，所述底層介質層和頂層介質層均為絕緣材料。
7.根據權利要求1所述的基于雙控制柵的復合介質柵可控自增益光敏探測器件，其特征在于，位于所述MOS電容和感光晶體管上方的底層介質層和頂層介質層的厚度相同或者不同。
8.根據權利要求1所述的基于雙控制柵的復合介質柵可控自增益光敏探測器件，其特征在于，所述底層介質層和頂層介質層的厚度均大于6nm。
9.根據權利要求1所述的基于雙控制柵的復合介質柵可控自增益光敏探測器件，其特征在于，所述感光晶體管的控制柵極和P型基底保持浮空，感光晶體管的源極接地，其漏極加上0.1V～3V的固定電壓；所述MOS電容的控制柵極接地或者外加柵壓。
10.根據權利要求9所述的基于雙控制柵的復合介質柵可控自增益光敏探測器件，其特征在于，所述MOS電容的控制柵極外加柵壓的范圍為：-3V～3V。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
