[發(fā)明專利]一種制備苞米狀單晶硅絨面復(fù)合制絨添加劑配方及使用方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910965959.1
• 申請(qǐng)日: 2019-10-12
• 公開（公告）號(hào): CN110644053A
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 閻建輝;鄧小梅;盧建紅;張麗;楊海華;陳婉君;寧弘宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖南理工學(xué)院
• 主分類號(hào): C30B33/10
• 分類號(hào): C30B33/10;C30B29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于單晶硅片制絨液的添加劑，其包含的組分為：聚乙二醇（PEG）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、烷基糖苷（APG）三類非離子型表面活性劑，有機(jī)酸，無機(jī)鹽和余量的水，其中PEG與水的重量比為0.5-2.5:100，PVP與水的重量比為0.1-0.8:100，烷基糖苷與水的重量比為0.5-2.5:100，有機(jī)酸與水的重量比為0.1-1.0:100，無機(jī)鹽與水的重量比為0.3-1.2:100。

2.在權(quán)利要求1所述的基礎(chǔ)上，PEG是PEG200、PEG400、PEG600、PEG800和PEG1000中一種或幾種的混合物；PVP是PVP-K12、PVP-K15、PVP-K17、 PVP-K25、PVP-K30中一種或幾種的混合物；APG是APG0810、APG1214、APG0814、APG0816和APG1216中一種或幾種的混合物；有機(jī)酸是乳酸、檸檬酸、苯甲酸、馬來酸、酒石酸和鄰苯二甲酸中一種或幾種的混合有機(jī)酸；無機(jī)鹽是NaCl、KCl、Na₂SO₄、K₂SO₄、Na₂SiO₃、K₂SiO₃中一種或幾種的混合無機(jī)鹽。

3.一種用于單晶硅片表面制絨液的配制方法，其特征是于1 L 去離子水中加入重量百分濃度為30%的NaOH溶液25.0-45.0mL，加入添加劑5.0-25.0mL，得到堿性制絨液。

4.一種用于單晶硅片表面制絨方法，具體技術(shù)方案包括以下步驟：

(1)將切割后的單晶硅片置于65℃的預(yù)清洗液中清洗2-8min后用去離子水清洗，再將單晶硅片浸入權(quán)利要求3所述的堿性制絨液中進(jìn)行制絨，制絨液溫度為70-90℃，制絨時(shí)間為6-16min；

(2)將步驟(1)獲得的制絨后單晶硅片浸漬于室溫下的去離子水中清洗1.5 min，再進(jìn)行混酸清洗，時(shí)間為3-8min；

(3)將酸洗后的單晶硅片浸漬于去離子水中清洗1.5 min，再浸漬于85℃的去離子水中慢慢提拉出來，再將制絨后晶硅片置于65℃的干燥箱中干燥3h。

5.在上述方案的基礎(chǔ)上，步驟(1) 中預(yù)清洗液配方為：1 L 去離子水中加入重量百分濃度為30%NaOH溶液10-20mL，無機(jī)氧化劑0.5-1.5mol，其中無機(jī)氧化劑為K₂MnO₄、H₂O₂、KClO₃、KCr₂O₇和NaNO₃中一種或幾種的混合物。

6.在上述方案的基礎(chǔ)上，步驟(2) 中混酸為HF、HCl、HBr、HClO₃、HClO₄、H₂SO₄和HNO₃中兩種或多種的混合酸，混酸濃度為1.0-3.0 mol/L。

7.在權(quán)利要求1-6的基礎(chǔ)上，采用本添加劑及使用方法后，在單晶硅片表面形成的金字塔呈苞米狀排列，尺寸平均小于1.0μm，硅片整面色澤均勻，平均反射率低于10％，被腐蝕掉的硅片量小于4％。