[發明專利]一種利用縱向三極管觸發表面可控硅結構的TVS器件

在審

• 申請號: 201910965446.0
• 申請日: 2019-10-12
• 公開（公告）號: CN110600467A
• 公開（公告）日: 2019-12-20
• 發明（設計）人: 趙德益;蘇海偉;呂海鳳;蔣騫苑;張嘯;王允;趙志方
• 申請（專利權）人: 上海長園維安微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 31298 上海諾衣知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 衣然

1.利用縱向三極管觸發表面可控硅結構的TVS器件，包括一半導體主體，所述半導體主體包括表面結可控硅結構和縱向NPN結構，其特征在于，所述可控硅結構的陽極與半導體主體的對通隔離通過金屬連接，當所述縱向NPN結構擊穿時，所述表面結可控硅結構觸發。

2.根據權利要求1所述的利用縱向三極管觸發表面可控硅結構的TVS器件，其特征在于，所述半導體主體還包括橫向NPN結構，所述可控硅結構的陰極與對通隔離通過金屬連接，用于單獨或與縱向NPN結構共同觸發所述表面結可控硅結構。

3.根據權利要求1或2所述的利用縱向三極管觸發表面可控硅結構的TVS器件，其特征在于，所述半導體主體包括依次設置的襯底、外延層；以及與外延層并排設置于N型埋層一側的N型對通隔離；以及設置于外延層一側且位于N型對通隔離中間的N型阱和P型阱；以及設置于N型阱的N型重摻雜和B型重摻雜，設置于P型阱的N型重摻雜和P型重摻雜。

4.根據權利要求1所述的利用縱向三極管觸發表面可控硅結構的TVS器件，其特征在于，所述表面結可控硅結構包括P型阱、N型阱、P型重摻雜和N型重摻雜。

5.根據權利要求1所述的利用縱向三極管觸發表面可控硅結構的TVS器件，其特征在于，所述縱向NPN結構包括N型埋層、外延層以及P型阱。

6.根據權利要求1所述的利用縱向三極管觸發表面可控硅結構的TVS器件，其特征在于，所述縱向NPN結構的擊穿機制包括雪崩擊穿和齊納擊穿。

7.根據權利要求1所述的利用縱向三極管觸發表面可控硅結構的TVS器件，其特征在于，所述縱向NPN結構的擊穿電壓小于等于10V。

8.根據權利要求3所述的利用縱向三極管觸發表面可控硅結構的TVS器件，其特征在于，所述襯底為N型襯底，所述外延層為N型外延層。

9.根據權利要求3所述的利用縱向三極管觸發表面可控硅結構的TVS器件，其特征在于，所述襯底為N型襯底，所述外延層為P型外延層。

10.根據權利要求3所述的利用縱向三極管觸發表面可控硅結構的TVS器件，其特征在于，所述襯底為N型襯底，所述外延層為P型外延層，所述N型襯底與P型外延層之間設置有N型埋層。