[發明專利]在空氣中熱穩定性能良好的太陽能吸收涂層及其制備方法有效
| 申請號: | 201910965107.2 | 申請日: | 2019-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN110643941B | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發明(設計)人: | 高祥虎;劉剛 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘭州化學物理研究所 |
| 主分類號: | C23C14/06 | 分類號: | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/35;F24S70/25 |
| 代理公司: | 蘭州中科華西專利代理有限公司 62002 | 代理人: | 曹向東 |
| 地址: | 730000 甘*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 空氣 熱穩定性 良好 太陽能 吸收 涂層 及其 制備 方法 | ||
1.在空氣中熱穩定性能良好的太陽能吸收涂層,其特征在于:該涂層依次由拋光不銹鋼片構成的吸熱體基底、金屬Mo構成的紅外反射層、TiSiCrZrHfN構成的主吸收層、TiSiCrZrHfNO構成的次吸收層和Al2O3構成的減反射層組成;所述主吸收層是指采用等摩爾比的金屬Ti、Si、Cr、Zr、Hf通過熔煉法制備的TiSiCrZrHf高熵合金的氮化物;所述次吸收層是指采用等摩爾比的金屬Ti、Si、Cr、Zr、Hf通過熔煉法制備的TiSiCrZrHf高熵合金的氮氧化物;所述吸熱體基底的粗糙度值為0.5~3 nm;所述紅外反射層的厚度為35~70 nm;所述主吸收層的厚度為25~55 nm;所述次吸收層的厚度為25~50 nm;所述減反射層的厚度為35~70nm;所述TiSiCrZrHf高熵合金是指將等摩爾比的金屬Ti、Si、Cr、Zr、Hf放入石墨坩堝內,然后將其放入真空熔煉爐并抽真空至3.5×10-6~7×10-6 Torr,于2300~2800℃熔融后澆筑成型,經切割、打磨即得。
2.如權利要求1所述的在空氣中熱穩定性能良好的太陽能吸收涂層的制備方法,包括以下步驟:
⑴對吸熱體基底進行處理;
⑵在處理后的所述吸熱體基底上制備紅外反射層:以純度為99.99%的Mo作為磁控濺射靶材,在氬氣氣氛中采用直流磁控濺射方法制得;其中工作參數:真空室預抽本底真空至3.5×10-6~6.5×10-6Torr;Mo靶材的濺射功率密度為4.5~7.5 W/m2,濺射沉積時氬氣的進氣量為20~60 sccm,沉積Mo厚度為35~70 nm;
⑶在所述紅外反射層上制備主吸收層:以純度為99.9%的TiSiCrZrHf高熵合金作為濺射靶材,在氬氣與氮氣氣氛中采用射頻反應磁控濺射方法制得;其中工作參數:TiSiCrZrHf靶材的濺射功率密度為3.0~6.5W/cm2,濺射沉積時氬氣的進氣量為20~60 sccm,氮氣的進氣量為2~6sccm,沉積TiSiCrZrHfN的厚度為25~55 nm;
⑷在所述主吸收層上制備次吸收層:以純度為99.9%的TiSiCrZrHf高熵合金作為濺射靶材,在氬氣和氮氣及氧氣氣氛中采用射頻反應磁控濺射方法制得;其中工作參數:TiSiCrZrHf靶材的濺射功率密度為3.0~6.5W/cm2,濺射沉積時氬氣的進氣量為20~60sccm,氮氣的進氣量為3~10sccm,氧氣的進氣量為2~8sccm,沉積TiSiCrZrHfNO厚度為25~50 nm;
⑸在所述次吸收層上制備減反射層:以純度99.99%的Al2O3作為磁控濺射靶材,在氬氣氣氛中采用射頻磁控濺射方法制得;其中工作參數:Al2O3靶材的濺射功率密度為5.5~10W/cm2,濺射沉積時氬氣的進氣量為20~60 sccm,沉積厚度為35~70 nm。
3.如權利要求2所述的在空氣中熱穩定性能良好的太陽能吸收涂層的制備方法,其特征在于:所述步驟⑴中吸熱體基底的處理是指去除基底拋光不銹鋼片表面附著的雜質后,分別在丙酮和無水乙醇中超聲清洗10~20分鐘,氮氣吹干保存。
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