[發(fā)明專利]相移器、毫米波環(huán)行器和雷達(dá)系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910964618.2 | 申請日: | 2019-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN110828946B | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈凌平;張春榮;史利劍;唐宗偉;劉博 | 申請(專利權(quán))人: | 西安天偉電子系統(tǒng)工程有限公司 |
| 主分類號: | H01P1/18 | 分類號: | H01P1/18;H01P1/19;H01P1/38;H05K7/20;G01S7/03 |
| 代理公司: | 北京華進(jìn)京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606 | 代理人: | 李紅艷 |
| 地址: | 710075 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 相移 毫米波 環(huán)行器 雷達(dá) 系統(tǒng) | ||
本申請涉及一種相移器、毫米波環(huán)行器和雷達(dá)系統(tǒng),其中所述相移器包括殼體、波導(dǎo)管、鐵氧體、第一磁體、第二磁體和冷卻流道。所述殼體定義一容納空間;所述波導(dǎo)管設(shè)置于所述容納空間;所述鐵氧體貼合設(shè)置于所述波導(dǎo)管的內(nèi)壁;所述第一磁體位于所述容納空間,且貼合設(shè)置于所述波導(dǎo)管的外壁,所述第一磁體與所述殼體定義第一空腔;所述第二磁體位于所述容納空間,且貼合設(shè)置于所述波導(dǎo)管的外壁,所述第二磁體與所述第一磁體相對設(shè)置,所述第二磁體與所述殼體定義第二空腔;所述冷卻流道開設(shè)于所述殼體,所述冷卻流道用于貫穿所述第一空腔和所述第二空腔。本申請?zhí)峁┑南嘁破?、毫米波環(huán)行器和雷達(dá)系統(tǒng)冷卻效果好,功率高、損耗小。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及微波技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種相移器、毫米波環(huán)行器和雷達(dá)系統(tǒng)。
背景技術(shù)
隨著航天航空、電子對抗等技術(shù)領(lǐng)域的不斷發(fā)展,微波系統(tǒng)對鐵氧體器件的要求越來越高。小型化、寬頻帶、高功率和低損耗等成為鐵氧體器件的重點(diǎn)研究方向。
毫米波環(huán)行器是鐵氧體器件中重要的一種。毫米波環(huán)行器在毫米波雷達(dá)系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。毫米波環(huán)行器主要用來控制回路中能量的單方向傳輸,一般用作雷達(dá)收發(fā)開關(guān),在雷達(dá)系統(tǒng)中的天饋裝置和發(fā)射裝置中起保護(hù)作用。
毫米波環(huán)行器一般由電橋、折疊雙T和相移器組成。其中,相移器包括永磁體和鐵氧體。隨著毫米波環(huán)行器向高功率方向的發(fā)展,相移器中鐵氧體的發(fā)熱和冷卻問題也越來越不同忽視。傳統(tǒng)技術(shù)中的相移器主要通過在相移器腔內(nèi)沿磁體延伸方向布置冷卻流道,通過向冷卻流道中注入冷卻液實(shí)現(xiàn)對毫米波環(huán)行器的冷卻。
然而,這種相移器及毫米波環(huán)行器存在冷卻效果差的問題。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對上述問題,提供一種相移器、毫米波環(huán)行器和雷達(dá)系統(tǒng)。
一種相移器,包括:
殼體,定義一容納空間;
波導(dǎo)管,設(shè)置于所述容納空間;
鐵氧體,貼合設(shè)置于所述波導(dǎo)管的內(nèi)壁;
第一磁體,位于所述容納空間,且貼合設(shè)置于所述波導(dǎo)管的外壁,所述第一磁體與所述殼體定義第一空腔;
第二磁體,位于所述容納空間,且貼合設(shè)置于所述波導(dǎo)管的外壁,所述第二磁體與所述第一磁體相對設(shè)置,所述第二磁體與所述殼體定義第二空腔;
冷卻流道,開設(shè)于所述殼體,所述冷卻流道用于貫穿所述第一空腔和所述第二空腔。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述第一磁體和所述第二磁體均貼合設(shè)置于所述殼體內(nèi)壁,所述相移器還包括:
第一蓋板,開設(shè)有第一水孔,所述第一蓋板貼合設(shè)置于所述殼體,所述第一磁體、所述殼體和所述第一蓋板定義所述第一空腔;
第二蓋板,開設(shè)有第二水孔,所述第二蓋板貼合設(shè)置于所述殼體,所述第二磁體、所述殼體和所述第二蓋板定義所述第二空腔。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述相移器還包括:
第一水嘴,設(shè)置于所述第一水孔;
第二水嘴,設(shè)置于所述第二水孔。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述相移器還包括第一凸緣和第二凸緣,所述第一凸緣和所述第二凸緣分別設(shè)置于所述殼體的兩端,所述第一蓋板貼合設(shè)置于所述第一凸緣,所述第二蓋板貼合設(shè)置于所述第二凸緣。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述相移器還包括:
第一固定件,穿過所述第一蓋板抵接于所述第一磁體;
第二固定件,穿過所述第二蓋板抵接于所述第二磁體。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述波導(dǎo)管為過模波導(dǎo)管。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安天偉電子系統(tǒng)工程有限公司,未經(jīng)西安天偉電子系統(tǒng)工程有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910964618.2/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





