[發明專利]一種改善直拉單晶成晶方法在審
| 申請號： | 201910963840.0 | 申請日： | 2019-10-11 |
| 公開（公告）號： | CN110552056A | 公開（公告）日： | 2019-12-10 |
| 發明（設計）人： | 吳樹飛;徐強;高潤飛;王林;谷守偉;王建平;周澤;楊志;趙國偉;劉振宇;王鑫;劉學;皇甫亞楠;楊瑞峰;郭志榮 | 申請（專利權）人： | 內蒙古中環協鑫光伏材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/04 | 分類號： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 12213 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 010070 內蒙古自*** | 國省代碼： | 內蒙;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 直拉單晶 裝料 石英坩堝 鋇元素 氣泡層 碳酸鋇 透明層 硅液 單晶拉制 含量增加 生產效率 有效控制 拉制 硅原料 外涂層 外壁 裝入 重復 | ||
1.一種改善直拉單晶成晶方法，其特征在于，包括：在直拉單晶初期裝料階段依次向石英坩堝裝入硅原料和碳酸鋇粉；所述石英坩堝包括本體，所述本體包括透明層和氣泡層，所述透明層和所述氣泡層依次從內到外設置；在所述本體外壁設有外涂層。
2.根據權利要求1所述的一種改善直拉單晶成晶方法，其特征在于，所述本體和所述外涂層均包括直筒部和置于所述直筒部下方的彎曲部，再所述直筒部和所述彎曲部之間設有連接部，所述直筒部、所述連接部和所述彎曲部一體設置。
3.根據權利要求2所述的一種改善直拉單晶成晶方法，其特征在于，所述硅原料至少裝滿所述彎曲部。
4.根據權利要求3所述的一種改善直拉單晶成晶方法，其特征在于，所述硅原料上端面最低位置為所述連接部與所述直筒部連接處。
5.根據權利要求4所述的一種改善直拉單晶成晶方法，其特征在于，在所述硅原料上端面沿所述直筒部周緣撒入所述碳酸鋇粉。
6.根據權利要求1-5任一項所述的一種改善直拉單晶成晶方法，其特征在于，所述碳酸鋇粉重量為0.2-1g。
7.根據權利要求6所述的一種改善直拉單晶成晶方法，其特征在于，所述碳酸鋇粉重量為0.05g。
8.根據權利要求7所述的一種改善直拉單晶成晶方法，其特征在于，所述碳酸鋇粉由天平秤稱重。
9.根據權利要求1-5、7-8任一項所述的一種改善直拉單晶成晶方法，其特征在于，所述硅原料為細顆粒多晶硅，所述硅原料粒徑范圍為80-120mm。
10.根據權利要求9所述的一種改善直拉單晶成晶方法，其特征在于，所述透明層由99.9999％的高純度石英砂粉與少量鋇粉混合制成；所述鋇粉含量為0.03-0.05g/kg。
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