[發(fā)明專利]振動(dòng)片、振子、振蕩器、電子設(shè)備和移動(dòng)體

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910963833.0
• 申請日: 2014-07-21
• 公開（公告）號: CN110724917A
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎隆;巖本修
• 申請（專利權(quán)）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06;C22C21/12;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/17
• 代理公司: 11127 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李輝;黃綸偉

振動(dòng)片、振子、振蕩器、電子設(shè)備和移動(dòng)體。所述振動(dòng)片具有：基部；以及從所述基部沿第1方向延伸并沿與所述第1方向垂直的第2方向排列的多個(gè)振動(dòng)臂，所述振動(dòng)臂具有設(shè)置在沿所述第1方向以及所述第2方向的第1面上的激勵(lì)電極，所述激勵(lì)電極具有：配置在所述第1面?zhèn)鹊牡?電極；配置在所述第1電極的與所述第1面?zhèn)认喾吹囊粋?cè)的第2電極；以及配置在所述第1電極與所述第2電極之間的壓電膜，所述壓電膜是在晶界中含有Cu的氮化鋁膜，所述第2電極由含有TiN的材料形成。

本申請是申請日為2014年7月21日、申請?zhí)枮?01410347246.6、發(fā)明名稱為“壓電膜制造方法、振動(dòng)片、振子、振蕩器、設(shè)備和移動(dòng)體”、申請人為精工愛普生株式會社的中國發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及振動(dòng)片、振子、振蕩器、電子設(shè)備和移動(dòng)體。

背景技術(shù)

以往，作為振動(dòng)片，公知有如下結(jié)構(gòu)的壓電薄膜諧振器(以下稱為振動(dòng)片)：其具有設(shè)置在基板上的下部電極、設(shè)置在下部電極上的壓電膜、以及設(shè)置在壓電膜上且具有隔著壓電膜而與下部電極相對的區(qū)域的上部電極(例如參照專利文獻(xiàn)1)。

上述振動(dòng)片在壓電膜中使用氮化鋁(以下稱為AlN)。該壓電膜是在N₂(氮)氣體和Ar(氬)氣體的混合氣氛中，使用Al(鋁)作為靶材料(成膜材料)，通過濺射而成膜(形成)。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2013-34130號公報(bào)

但是，由于上述壓電膜使用純鋁作為成膜材料，所以，在存在于成膜后的AlN的晶界中的Al中，有時(shí)由于AlN成膜后的上部電極的成膜工藝等而產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力。

由此，上述壓電膜可能發(fā)生在Al中產(chǎn)生空隙的應(yīng)力遷移。

其結(jié)果，在上述壓電膜中，機(jī)電耦合系數(shù)劣化，由此，阻抗上升，作為壓電膜的功能劣化，并且，由于應(yīng)力遷移的加劇(空隙的擴(kuò)散等)，可靠性(特別是長期可靠性)可能降低。

由此，在具有上述壓電膜的上述振動(dòng)片中，有可能CI(晶體阻抗)值增大，振動(dòng)特性劣化，并且，可靠性降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下方式或應(yīng)用例而實(shí)現(xiàn)。

[應(yīng)用例1]本應(yīng)用例的壓電膜制造方法的特征在于，所述壓電膜制造方法包括以下工序：在N₂氣體和Ar氣體的混合氣氛中，將Al-Cu合金作為成膜材料，使用濺射法形成壓電膜。

由此，壓電膜制造方法包括以下工序：在N₂氣體和Ar氣體的混合氣氛中，將Al-Cu合金作為成膜材料(靶材料)，使用濺射法形成壓電膜。

由此，在壓電膜制造方法中，由于使用Al-Cu合金作為形成壓電膜的成膜材料，所以，在使用濺射法形成的壓電膜(具體而言為AlN膜)的晶界的Al中，Cu分散地存在(換言之，生成金屬間化合物(Al₃Cu))。

由此，在壓電膜制造方法中，由于抑制了晶界的Al的擴(kuò)散，所以能夠抑制產(chǎn)生應(yīng)力遷移。

其結(jié)果，在壓電膜制造方法中，與現(xiàn)有(例如專利文獻(xiàn)1)的制造方法相比，能夠提高作為壓電膜的功能，并且，能夠通過抑制應(yīng)力遷移來提高壓電膜的可靠性。

[應(yīng)用例2]在上述應(yīng)用例的壓電膜制造方法中，優(yōu)選所述Al-Cu合金中的Cu的含有率在0.25％質(zhì)量百分比～1.0％質(zhì)量百分比的范圍內(nèi)。

由此，在壓電膜制造方法中，由于Al-Cu合金中的Cu的含有率在0.25％質(zhì)量百分比～1.0％質(zhì)量百分比的范圍內(nèi)，所以，能夠抑制晶界的Al的擴(kuò)散，能夠抑制產(chǎn)生應(yīng)力遷移。

[應(yīng)用例3]在上述應(yīng)用例的壓電膜制造方法中，優(yōu)選所述Al-Cu合金中的Cu的含有率在0.4％質(zhì)量百分比～0.6％質(zhì)量百分比的范圍內(nèi)。