[發(fā)明專(zhuān)利]涂布系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910961722.6
• 申請(qǐng)日: 2019-10-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111088472A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-05-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: V·戈羅霍夫斯基;G·卡馬特;布賴(lài)斯·安東;K·魯?shù)?/a>
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蒸汽技術(shù)公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/04
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/04;C23C14/32;C23C14/35
• 代理公司: 上海德昭知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種涂布系統(tǒng)，其包括：

涂布室，所述涂布室具有外圍室壁、頂壁和底壁，所述外圍室壁限定室中心；

等離子體源，所述等離子體源定位在所述室中心處；

樣品保持器，所述樣品保持器固持多個(gè)待涂布基板，所述樣品保持器能夠在距所述室中心的第一距離處繞所述室中心旋轉(zhuǎn)；以及

第一隔離屏蔽件，所述第一隔離屏蔽件相對(duì)于所述室中心定位在距所述室中心的第二距離處，所述第一隔離屏蔽件帶負(fù)電荷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括至少一個(gè)遠(yuǎn)程陽(yáng)極，所述至少一個(gè)遠(yuǎn)程陽(yáng)極定位在距所述室中心的第三距離處，所述第三距離大于所述第一距離和所述第二距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布系統(tǒng)，其中所述第一隔離屏蔽件為金屬網(wǎng)篩。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布系統(tǒng)，其中所述第二距離大于所述第一距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的涂布系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括第二隔離屏蔽件，所述第二隔離屏蔽件定位在距所述室中心的第四距離處，所述第四距離小于所述第一距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的涂布系統(tǒng)，其中所述第一隔離屏蔽件是外金屬網(wǎng)篩，并且所述第二隔離屏蔽件是內(nèi)金屬網(wǎng)篩。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的涂布系統(tǒng)，其中基板被加偏壓到與所述內(nèi)金屬網(wǎng)篩相同的電位。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的涂布系統(tǒng)，其中所述外金屬網(wǎng)篩和所述內(nèi)金屬網(wǎng)篩具有各自獨(dú)立地為1mm到50mm的開(kāi)口。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的涂布系統(tǒng)，其中所述外網(wǎng)篩和所述內(nèi)網(wǎng)篩具有各自獨(dú)立地為1mm到50mm的開(kāi)口。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的涂布系統(tǒng)，其中待涂布基板封閉在由將所述基板與所述外圍室壁分離的所述第一隔離屏蔽件和將基板與中心陰極棒分離的所述第二隔離屏蔽件建立的容器中。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布系統(tǒng)，其中所述第二距離小于所述第一距離。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布系統(tǒng)，其中所述等離子體源包括中心陰極棒和圍繞所述中心陰極棒的中心線圈。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的涂布系統(tǒng)，其中多個(gè)陰極棒圍繞所述中心陰極棒和所述中心線圈。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的涂布系統(tǒng)，其中所述多個(gè)陰極棒包含偶數(shù)個(gè)棒狀陰極，所述棒狀陰極的縱軸被對(duì)齊為平行于所述外圍室壁。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的涂布系統(tǒng)，其中所述多個(gè)陰極棒中的每個(gè)陰極棒能夠繞縱軸旋轉(zhuǎn)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的涂布系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括多個(gè)阻擋屏蔽件，使得阻擋屏蔽件定位在所述多個(gè)陰極棒中的交替陰極棒對(duì)之間。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布系統(tǒng)，其適用于在帶負(fù)電荷的金屬網(wǎng)容器內(nèi)產(chǎn)生的中空陰極氣態(tài)等離子體中進(jìn)行離子清洗和離子表面處理。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布系統(tǒng)，其適用于等離子體增強(qiáng)磁控濺鍍(PEMS)。

19.根據(jù)權(quán)利要求2所述的涂布系統(tǒng)，其適用于伴隨通過(guò)在中心陰極棒與由所述外圍室壁定位的所述遠(yuǎn)程陽(yáng)極之間建立的遠(yuǎn)程電弧放電對(duì)金屬氣態(tài)等離子體進(jìn)行的電離的等離子體增強(qiáng)磁控濺鍍，所述等離子體增強(qiáng)磁控濺鍍進(jìn)一步通過(guò)在所述第一隔離屏蔽件內(nèi)部產(chǎn)生的中空陰極等離子體增強(qiáng)。