[發(fā)明專利]切割道結(jié)構(gòu)及其制造方法、半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910960365.1
• 申請(qǐng)日: 2019-10-10
• 公開（公告）號(hào): CN110660757A
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邵永軍;劉超;潘東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 31237 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 曹廷廷

1.一種切割道結(jié)構(gòu)，其特征在于，形成于一晶圓的切割道區(qū)上，所述切割道結(jié)構(gòu)包括：

刻蝕停止層，形成于所述切割道區(qū)上；以及，

第一鈍化層，形成于所述刻蝕停止層上，且所述第一鈍化層具有暴露出所述刻蝕停止層的開口。

2.如權(quán)利要求1所述的切割道結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：第二鈍化層，所述第二鈍化層形成于所述切割道區(qū)上的所述刻蝕停止層的下方。

3.如權(quán)利要求1所述的切割道結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述開口位于所述切割道區(qū)的中間區(qū)域；所述開口的寬度為所述切割道區(qū)寬度的60％～90％。

4.如權(quán)利要求2所述的切割道結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述刻蝕停止層的材質(zhì)包括氮化硅、碳化硅、含氮的碳化硅和含氮氧的碳化硅中的至少一種；和/或，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層的材質(zhì)包括二氧化硅、氮化硅、氮氧硅、正硅酸乙酯、硼硅玻璃、磷硅玻璃和硼磷硅玻璃中的至少一種。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的切割道結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述切割道區(qū)的所述晶圓的結(jié)構(gòu)包括介質(zhì)層和形成于所述介質(zhì)層中的虛擬金屬層，所述虛擬金屬層的頂部被所述介質(zhì)層暴露出來(lái)，所述開口與所述虛擬金屬層對(duì)準(zhǔn)。

6.一種切割道結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供一晶圓，所述晶圓具有切割道區(qū)；

形成刻蝕停止層于所述切割道區(qū)上；以及，

形成第一鈍化層于所述刻蝕停止層上，且所述第一鈍化層具有暴露所述刻蝕停止層的開口。

7.如權(quán)利要求6所述的切割道結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成所述刻蝕停止層于所述切割道區(qū)上之前，還形成第二鈍化層于所述切割道區(qū)上。

8.如權(quán)利要求6所述的切割道結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述開口位于所述切割道區(qū)的中間區(qū)域；所述開口的寬度為所述切割道區(qū)寬度的60％～90％。

9.如權(quán)利要求6所述的切割道結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成具有所述開口的所述第一鈍化層的步驟包括：

形成覆蓋所述刻蝕停止層的第一鈍化層的材料層；

形成圖案化的光刻膠層于所述第一鈍化層的材料層上，所述圖案化的光刻膠層暴露出部分寬度的所述第一鈍化層的材料層；以及，

刻蝕去除暴露出的部分寬度的所述第一鈍化層的材料層，或者，刻蝕去除暴露出的部分寬度的所述第一鈍化層的材料層和至少部分厚度的所述刻蝕停止層，以形成具有所述開口的所述第一鈍化層。

10.如權(quán)利要求6至9中任一項(xiàng)所述的切割道結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述切割道區(qū)的所述晶圓的結(jié)構(gòu)包括介質(zhì)層和形成于所述介質(zhì)層中的虛擬金屬層，所述虛擬金屬層的頂部被所述介質(zhì)層暴露出來(lái)，所述開口與所述虛擬金屬層對(duì)準(zhǔn)。

11.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：位于一晶圓上的器件區(qū)以及至少一個(gè)如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的切割道結(jié)構(gòu)，所述切割道結(jié)構(gòu)位于所述器件區(qū)的外圍。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述器件區(qū)的所述晶圓上依次覆蓋有所述刻蝕停止層和所述第一鈍化層，且所述第一鈍化層中形成有至少一個(gè)焊盤，所述焊盤的底面位于所述器件區(qū)的所述刻蝕停止層上。

13.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

采用權(quán)利要求6至10中任一項(xiàng)所述的切割道結(jié)構(gòu)的制造方法，形成至少一個(gè)切割道結(jié)構(gòu)于一晶圓上，所述晶圓還具有器件區(qū)，所述切割道結(jié)構(gòu)位于所述器件區(qū)的外圍；以及，

沿所述切割道結(jié)構(gòu)中的開口切割所述晶圓，以形成包含所述器件區(qū)和部分所述切割道結(jié)構(gòu)的晶粒。