[發(fā)明專利]一種硅片清洗方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910959761.2
• 申請(qǐng)日: 2019-10-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112646671A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 谷寧寧;李飛龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 阿特斯光伏電力（洛陽(yáng)）有限公司
• 主分類號(hào): C11D7/06
• 分類號(hào): C11D7/06;C11D7/04;C11D7/60;H01L21/02;B08B3/08
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

本發(fā)明提供了一種硅片清洗方法，包括如下步驟：依次利用清洗液A、清洗液B和清洗液C對(duì)硅片進(jìn)行清洗；其中，所述清洗液A包括硅片清洗劑；所述清洗液B包括硅片清洗劑和KOH；所述清洗液C包括雙氧水和KOH。利用本發(fā)明提供的硅片清洗方法對(duì)硅片進(jìn)行清洗，對(duì)硅片的除污效果好，并且可縮短清洗時(shí)間。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于清洗領(lǐng)域，涉及一種硅片清洗方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的多晶硅片清洗工藝中，清洗→藥劑洗→漂洗→瀝水→烘干，其中藥劑槽設(shè)置3-4個(gè)，是清洗工藝中最重要的步驟，其目的是將附著在多晶硅片表面的硅粉、切削液等化學(xué)物質(zhì)通過(guò)物理化學(xué)反應(yīng)去除；目前工藝中，藥劑槽全部添加單一成分清洗藥劑，一般選用的藥劑為有機(jī)強(qiáng)堿性物質(zhì)，雖然可以清洗部分硅粉、切削液等雜質(zhì)，但是清洗用時(shí)較長(zhǎng)(單槽160s)，且清洗藥劑中的有機(jī)物質(zhì)及硅粉等易殘留至硅片表面形成臟污，降低硅片品質(zhì)，增加清洗成本。

CN108441353A公開(kāi)了一種硅片清洗液、清洗設(shè)備及清洗工藝，包括濃度為45％的氫氧化鉀溶液和濃度為31％的雙氧水溶液，氫氧化鉀溶液與雙氧水溶液的體積比為1:1.05-1:7.25，一種硅片清洗設(shè)備，包括超聲清洗部，用于清除顆粒的硅粉；藥液清洗部，用于清除油脂、金屬離子和有機(jī)無(wú)雜質(zhì)；第一漂洗部，用于清除硅片表面殘留的藥液；清洗液清洗部，用于清除有機(jī)物，利用硅片清洗液進(jìn)行；第二漂洗部，用于清除硅片表面殘留的清洗液；慢提拉部，用于清除硅片表面殘留的清洗液。該專利雖然可以在一定程度上降低硅片的臟片率，但是清洗過(guò)程中用到大量去離子水、雙氧水和KOH，且仍然存在清洗時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)。CN102952650A公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池硅片清洗劑及其清洗工藝，由以下組分組成：0.5-3％的表面活性劑、2.1-13％的無(wú)機(jī)鹽、1-5％的有機(jī)鹽，余量為去離子水，清潔工藝包括按重量百分含量將表面活性劑、無(wú)機(jī)鹽、有機(jī)鹽和去離子水混合配制成太陽(yáng)能電池硅片清洗劑，然后加入20-25倍體積的去離子水得到硅片清洗液，在常溫下，將硅片放入得到的硅片清洗液中進(jìn)行清洗。該專利雖然對(duì)硅片表面無(wú)腐蝕，但清洗劑中的部分有機(jī)物會(huì)殘存在硅片表面，會(huì)造成二次污染，并且，采用該清洗劑對(duì)硅片進(jìn)行清洗并不能縮短清洗時(shí)間。

因此，開(kāi)發(fā)一種既可以降低臟污率，又可以縮短清洗時(shí)間的硅片清洗方法是十分有必要的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種硅片清洗方法。本發(fā)明的硅片清洗方法具有清洗效果好，最后清洗完成的硅片臟污占比低，并且縮短了清洗時(shí)間的優(yōu)點(diǎn)。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明提供了一種硅片清洗方法，包括如下步驟：

依次利用清洗液A、清洗液B和清洗液C對(duì)硅片進(jìn)行清洗；

其中，所述清洗液A包括硅片清洗劑；所述清洗液B包括硅片清洗劑和KOH；所述清洗液C包括雙氧水和KOH。

在本發(fā)明中，所述清洗液A、清洗液B和清洗液C為本發(fā)明對(duì)本發(fā)明所用的藥劑槽中的清洗液的命名，由清洗液A和清洗液B中的成分可以看出，清洗液A和清洗液B為現(xiàn)有技術(shù)中常用的硅片清洗液，清洗液C中的成分為雙氧水和KOH，可以解釋為化學(xué)清洗液。

本發(fā)明的清洗液分為硅片清洗液(硅片清洗劑)和化學(xué)清洗液(雙氧水和KOH)兩種，本發(fā)明采用硅片清洗液和化學(xué)清洗液共同配合，硅片清洗液可與硅片表面殘留物(硅粉或者切削液等雜質(zhì))反應(yīng)生成絡(luò)合物，絡(luò)合物具有一定的疏水性，然后再利用化學(xué)清洗液除去絡(luò)合物以及由于硅片清洗液帶來(lái)的有機(jī)物等雜質(zhì)，最終達(dá)到清洗硅片的目的，并且有效降低了臟污占比。

在本發(fā)明中，在利用清洗液A對(duì)硅片進(jìn)行清洗后，硅片表面的大部分殘留硅粉已被除去，被反應(yīng)物(硅粉或者切削液等雜質(zhì))濃度減小，因此，本發(fā)明通過(guò)在清洗液B中添加氫氧化鉀，使清洗液B的堿濃度增大，這樣可以加大反應(yīng)物(堿液)濃度以提高反應(yīng)速率，使更多的被反應(yīng)物被除去。