[發(fā)明專利]薄層頂?shù)捉缑娣瓷湎禂?shù)的反演方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910958234.X | 申請日: | 2019-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN110764145B | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙偉;韓必武;王赟;陶磊 | 申請(專利權(quán))人: | 淮南礦業(yè)(集團(tuán))有限責(zé)任公司;北京多分量地震技術(shù)研究院 |
| 主分類號: | G01V1/30 | 分類號: | G01V1/30 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人: | 張黎;許振新 |
| 地址: | 232000*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄層 界面 反射 系數(shù) 反演 方法 裝置 | ||
1.一種薄層頂?shù)捉缑娣瓷湎禂?shù)的反演方法,包括:
基于單薄層模型,確定P波垂直入射時的薄層反射系數(shù)能譜;其中,所述薄層反射系數(shù)能譜與薄層頂?shù)捉缑娴姆瓷湎禂?shù)相關(guān);
根據(jù)所述薄層反射系數(shù)能譜,確定所述薄層的時間厚度;
根據(jù)所述薄層的時間厚度以及所述薄層反射系數(shù)能譜和所述薄層頂?shù)捉缑娴姆瓷湎禂?shù)之間的關(guān)系,計算所述薄層頂?shù)捉缑娴姆瓷湎禂?shù);
其中,列出以下二元二次方程組:
對該方程組進(jìn)行迭代求解,即可得到薄層頂?shù)捉缑娴姆瓷湎禂?shù)R1、R2;
輸入數(shù)據(jù)為疊前動校正后數(shù)據(jù)或疊后地震數(shù)據(jù),對輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行反褶積運算得到薄層復(fù)反射系數(shù),將薄層復(fù)反射系數(shù)進(jìn)行運算便可得到薄層的反射系數(shù)能譜,進(jìn)而反演出薄層頂?shù)捉缑娴姆瓷湎禂?shù)R1、R2;其中,所述確定P波垂直入射時的薄層反射系數(shù)能譜,包括:
基于單薄層模型的薄層參數(shù),確定P波入射時的薄層反射系數(shù);其中,所述薄層參數(shù)包括薄層中各目標(biāo)層的縱波速度、橫波速度、密度、透射角及P波入射角;
其中,在P波入射的情況下,薄層反射P波是頂界面反射與底界面反射以及層間多次波和轉(zhuǎn)換波的疊加復(fù)合波;R1、R2分別是頂、底界面的PP波反射系數(shù);θ1表示P波入射角、θ2是第二層透射角,θ3是第三層透射角;VPi,VSi和ρi(i=1,2,3)分別為單薄層模型各目標(biāo)層的縱波速度、橫波速度和密度;
薄層反射P波的反射系數(shù)R在弱阻抗差和舍棄泰勒展開式高階項的情況下可以表示成如下公式(1a):
R(θ1)=A+B sin2θ1+C sin4θ1 (1a)
設(shè)Ar及Ai分別代表復(fù)數(shù)A的實部和虛部,對于B、C同理,則有如下公式(1b)、(1c)、(1d):
其中:
M1=R1,M2=R2;
且定義:
VPa1=(VP2+VP1)/2;ΔVP1=VP2-VP1;
VSa1=(VS2+VS1)/2;ΔVS1=VS2-VS1;
ρa1=(ρ2+ρ1)/2;Δρ1=ρ2-ρ1;θa1=(θ2+θ1)/2;
VPa2=(VP3+VP2)/2;ΔVP2=VP3-VP2;
VSa2=(VS2+VS2)/2;ΔVS2=VS3-VS2;
ρa2=(ρ3+ρ2)/2;Δρ2=ρ3-ρ2;θa2=(θ3+θ2)/2; (1d)
上述公式(1a)~(1d)表明,薄層反射系數(shù)不僅與薄層的物性參數(shù)相關(guān),還與角頻率、薄層厚度和入射角有關(guān);
根據(jù)所述薄層反射系數(shù),推導(dǎo)P波垂直入射時的薄層復(fù)反射系數(shù);其中,所述薄層復(fù)反射系數(shù)與頻率及薄層的時間厚度相關(guān);
其中,根據(jù)上述公式(1a)~(1d),可進(jìn)一步推導(dǎo)出P波垂直入射時的薄層復(fù)反射系數(shù)如以下公式(2)所示:
A1=R1;
其中,f為頻率,Δt為薄層的時間厚度;
將所述薄層復(fù)反射系數(shù)轉(zhuǎn)換為所述薄層反射系數(shù)能譜。
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