[發(fā)明專利]碳化硅晶圓襯底的回收利用方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910957396.1
• 申請日: 2019-10-10
• 公開（公告）號: CN112652567A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭虎
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州華太電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 趙世發(fā)

1.一種碳化硅晶圓襯底的回收利用方法，其特征在于包括：

提供物體，所述物體包括碳化硅襯底；

選擇位于所述碳化硅襯底內(nèi)預(yù)設(shè)深度處的一個(gè)面作為分離界面，所述分離界面將所述碳化硅襯底于厚度方向上劃分為第一部分和第二部分；

以激光照射所述碳化硅襯底，并使所述激光聚焦于所述分離界面上，從而使所述分離界面處的碳化硅分解，進(jìn)而使所述碳化硅襯底的第一部分與第二部分彼此分離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述碳化硅晶圓襯底的回收利用方法，其特征在于包括：使至少一激光照射裝置沿預(yù)設(shè)軌跡運(yùn)動(dòng)，從而使由所述至少一激光照射裝置發(fā)射的激光依次聚焦于所述分離界面上的不同選定位置，并將所述不同選定位置處的碳化硅分解，最終使所述碳化硅襯底的第一部分與第二部分完全分離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述碳化硅晶圓襯底的回收利用方法，其特征在于：所述激光照射裝置以步進(jìn)方式運(yùn)動(dòng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述碳化硅晶圓襯底的回收利用方法，其特征在于：所述物體為碳化硅晶圓，所述碳化硅襯底包括4H-SIC襯底、6H-SiC襯底或半絕緣SiC襯底。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述碳化硅晶圓襯底的回收利用方法，其特征在于：所述物體包括碳化硅襯底與結(jié)合在碳化硅襯底上的功能器件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述碳化硅晶圓襯底的回收利用方法，其特征在于：所述物體包括碳化硅襯底和形成在碳化硅襯底上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述碳化硅晶圓襯底的回收利用方法，其特征在于包括：

提供碳化硅基芯片和至少一激光照射裝置，所述碳化硅基芯片包括碳化硅襯底以及形成在所述碳化硅襯底正面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；

以所述至少一激光照射裝置照射所述碳化硅襯底的背面，并使所述激光照射裝置射出的激光聚焦于所述碳化硅襯底內(nèi)預(yù)設(shè)深度處的分離界面上，從而使所述分離界面處的碳化硅分解；

采用步進(jìn)激光照射的方式對整個(gè)所述碳化硅襯底進(jìn)行照射，進(jìn)而使所述碳化硅襯底于厚度方向上分離為第一部分與第二部分，其中，所述碳化硅襯底的背面與正面背對設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述碳化硅晶圓襯底的回收利用方法，其特征在于：所述激光為聚焦激光，所述激光的波長為800-1500nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述碳化硅晶圓襯底的回收利用方法，其特征在于：所述分離界面與所述碳化硅襯底正面之間的距離為20-200μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或7所述碳化硅晶圓襯底的回收利用方法，其特征在于：所述分離界面包括主要由碳化硅分解形成的多晶硅和碳組成的混合物層。