[發(fā)明專利]量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制造方法以及量子點(diǎn)發(fā)光顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910956908.2
• 申請(qǐng)日: 2019-10-10
• 公開（公告）號(hào): CN111048555B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李太陽(yáng);賓鐘官;張慶國(guó);崔智慧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H10K59/123
• 分類號(hào): H10K59/123;H10K59/121;H10K71/10;H10K50/115
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

公開了一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制造方法以及量子點(diǎn)發(fā)光顯示裝置。量子點(diǎn)發(fā)光二極管包括：第一電極；面對(duì)第一電極的第二電極；以及位于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層，發(fā)光層包括量子點(diǎn)發(fā)光材料層、位于第一電極和量子點(diǎn)發(fā)光材料層之間的空穴輔助層、以及位于量子點(diǎn)發(fā)光材料層與第二電極之間的電子輔助層，其中量子點(diǎn)發(fā)光材料層包括多個(gè)量子點(diǎn)，每個(gè)量子點(diǎn)包括：芯，位于量子點(diǎn)的中心并且發(fā)射光；圍繞芯的殼；以及與殼的表面連接的配體，其中，在殼的第一側(cè)處的配體被去除，使得電子輔助層和空穴輔助層中的一個(gè)接觸殼，并且電子輔助層和空穴輔助層中的另一個(gè)接觸在殼的第二側(cè)處的配體。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2018年10月12日在韓國(guó)提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2018-0121838的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，在此援引該專利申請(qǐng)的內(nèi)容作為參考。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種量子點(diǎn)(QD)發(fā)光二極管，更具體地，本發(fā)明涉及一種具有改進(jìn)的電荷平衡的QD發(fā)光二極管和QD發(fā)光顯示裝置以及制造QD發(fā)光二極管的方法。

背景技術(shù)

近來，隨著社會(huì)正式進(jìn)入信息時(shí)代，將所有類型的電信號(hào)呈現(xiàn)為可視圖像的顯示裝置領(lǐng)域得到快速發(fā)展。例如，引入了諸如液晶顯示(LCD)裝置、等離子體顯示面板(PDP)裝置、場(chǎng)發(fā)射顯示(FED)裝置以及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置之類的平板顯示裝置。

另一方面，已經(jīng)研究或開發(fā)了量子點(diǎn)(QD)對(duì)于顯示裝置的使用。

在QD中，不穩(wěn)定態(tài)電子從導(dǎo)電帶躍遷到價(jià)帶，從而發(fā)光。由于QD具有高消光系數(shù)和卓越的量子產(chǎn)量，從QD發(fā)射強(qiáng)熒光。此外，由于通過QD的尺寸來控制來自QD的光的波長(zhǎng)，可以通過控制QD的尺寸來發(fā)射整個(gè)可見光。

使用QD的QD發(fā)光二極管包括陽(yáng)極、面對(duì)陽(yáng)極的陰極以及QD發(fā)光層。QD發(fā)光層位于陽(yáng)極和陰極之間并且包括QD。當(dāng)空穴和電子分別從陽(yáng)極和陰極注入到QD發(fā)光層時(shí)，從QD發(fā)光層反射光。

然而，QD發(fā)光二極管中的電荷平衡劣化，從而使得QD發(fā)光二極管的發(fā)光效率降低。例如，由于空穴注入速率可能低于電子注入速率，所以QD發(fā)光層中的電荷平衡可能劣化。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明旨在提供一種QD發(fā)光二極管、QD發(fā)光顯示裝置以及制造QD發(fā)光二極管的方法，其基本上解決了由于相關(guān)拘束的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題并具有其他有點(diǎn)。

在下面的描述中將列出本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，這些特征和優(yōu)點(diǎn)的一部分通過下面的描述將是顯而易見的，或者可從本發(fā)明的實(shí)施領(lǐng)會(huì)到。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)。

為了獲得這些和其他優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體化和概括描述的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括：第一電極；面對(duì)所述第一電極的第二電極；以及位于所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括量子點(diǎn)發(fā)光材料層、位于所述第一電極和所述量子點(diǎn)發(fā)光材料層之間的空穴輔助層、以及位于所述量子點(diǎn)發(fā)光材料層與所述第二電極之間的電子輔助層，其中所述量子點(diǎn)發(fā)光材料層包括多個(gè)量子點(diǎn)，每個(gè)量子點(diǎn)包括：芯，位于所述量子點(diǎn)的中心并且發(fā)射光；圍繞所述芯的殼；以及與所述殼的表面連接的配體，其中，在所述殼的第一側(cè)處的配體被去除，使得所述電子輔助層和所述空穴輔助層中的一個(gè)接觸所述殼，并且所述電子輔助層和所述空穴輔助層中的另一個(gè)接觸在所述殼的第二側(cè)處的配體。