[發明專利]電子裝置及電子裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201910955815.8 | 申請日: | 2019-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN112635511A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 陳逸安;郭冠宏;謝朝樺;鄭凱;黃婉玲 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/54;H01L33/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 羅英;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 裝置 制造 方法 | ||
本揭露提供一種電子裝置及電子裝置的制造方法,所述電子裝置包括第一基板、多個發光二極管晶粒、透明材料層、密封材料以及第二基板。多個發光二極管晶粒設置于第一基板上。透明材料層設置于第一基板上。密封材料設置于第一基板上且環繞透明材料層。第二基板通過透明材料層以及密封材料與第一基板黏合。
技術領域
本揭露涉及一種電子裝置及電子裝置的制造方法。
背景技術
隨著科技進步,電子裝置已導入于不同類型的產品上,例如具有發光二極管的電子裝置。對于電子裝置的要求也不斷提高,而增長電子裝置的壽命,或改善封裝技術已為探討的方向之一。
發明內容
根據本揭露的實施例,電子裝置包括第一基板、多個發光二極管晶粒、透明材料層、密封材料以及第二基板。多個發光二極管晶粒設置于第一基板上。透明材料層設置于第一基板上且覆蓋多個發光二極管晶粒。密封材料設置于第一基板上且環繞透明材料層。第二基板與第一基板對向地設置,且通過透明材料層以及密封材料與第一基板黏合。
根據本揭露的實施例,電子裝置的制造方法包括以下步驟。提供第一基板及第二基板,其中于第一基板上設置多個發光二極管晶粒。設置透明材料層及密封材料于第一基板或第二基板上,其中密封材料環繞透明材料層。對組第一基板與第二基板。
附圖說明
包含附圖以便進一步理解本揭露,且附圖并入本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖說明本揭露的實施例,并與描述一起用于解釋本揭露的原理。
圖1A至圖1D為本揭露一實施例的電子裝置的局部制作流程的示意圖,且圖1D為本揭露一實施例的電子裝置的剖面示意圖;
圖2為本揭露一實施例的電子裝置的俯視示意圖;
圖3為本揭露一實施例的電子裝置的制作方法的流程圖;
圖4為本揭露另一實施例的電子裝置的剖面示意圖;
圖5為本揭露另一實施例的電子裝置的俯視示意圖;
圖6為本揭露又一實施例的電子裝置的剖面示意圖;
圖7為本揭露再一實施例的電子裝置的剖面示意圖。
具體實施方式
通過參考以下的詳細描述并同時結合附圖可以理解本揭露,須注意的是,為了使讀者能容易了解及附圖的簡潔,本揭露中的多張附圖只繪出電子裝置的一部分,且附圖中的特定組件并非依照實際比例繪圖。此外,圖中各組件的數量及尺寸僅作為示意,并非用來限制本揭露的范圍。
本揭露中所敘述的一結構(或層別、組件、基材)位于另一結構(或層別、組件、基材)之上,可以指二結構相鄰且直接連接,或是可以指二結構相鄰而非直接連接,非直接連接是指二結構之間具有至少一中介結構(或中介層別、中介組件),一結構的下側表面相鄰或直接連接于中介結構的上側表面,另一結構的上側表面相鄰或直接連接于中介結構的下側表面,而中介結構可以是單層或多層的實體結構或非實體結構所組成,并無限制。在本揭露中,當某結構配置在其它結構“上”時,有可能是指某結構“直接”在其它結構上,或指某結構“間接”在其它結構上,即某結構和其它結構間還夾設有至少一結構。
本揭露中所敘述的電性連接或耦接,皆可以指直接連接或間接連接,于直接連接的情況下,兩電路上組件的端點直接連接或以一導體線段互相連接,而于間接連接的情況下,兩電路上組件的端點之間具有開關、二極管、電容、電感或其他非導體線段的組件其中之一與至少一導電段或電阻的組合,或至少上述二者與至少一導電段或電阻的組合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





