[發明專利]基于單層修飾MXene的電存儲材料及其制備方法與在制備電存儲器件中的應用有效
| 申請號： | 201910955506.0 | 申請日： | 2019-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN110783456B | 公開（公告）日： | 2023-05-02 |
| 發明（設計）人： | 路建美;賀競輝 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | H10N70/20 | 分類號： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 孫周強;陶海鋒 |
| 地址： | 215137 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 單層 修飾 mxene 存儲 材料 及其 制備 方法 器件 中的 應用 | ||
【權利要求書】：
1.單層修飾MXene作為活性層在制備電存儲材料或者電存儲器件中的應用；MXene為Ti3C2?MXene；單層修飾MXene為烷基膦酸修飾MXene。
2.?一種基于單層修飾MXene的電存儲材料，其特征在于，所述基于單層修飾MXene的電存儲材料的制備方法包括以下步驟，將單層修飾MXene制備成膜，得到基于單層修飾MXene的電存儲材料；MXene為Ti3C2?MXene；單層修飾MXene為烷基膦酸修飾MXene；采用旋涂法將單層修飾MXene制備成膜。
3.?一種基于單層修飾MXene的電存儲器件，其特征在于，所述基于單層修飾MXene的電存儲器件包括基于單層修飾MXene的電存儲材料；MXene為Ti3C2?MXene；單層修飾MXene為烷基膦酸修飾MXene。
4.根據權利要求3所述基于單層修飾MXene的電存儲器件，其特征在于，所述基于單層修飾MXene的電存儲器件由基底、基于單層修飾MXene的電存儲材料、電極組成。
5.根據權利要求4所述基于單層修飾MXene的電存儲器件，其特征在于，所述基于單層修飾MXene的電存儲器件的制備方法包括以下步驟，在基底上制備基于單層修飾MXene的電存儲材料層，再制備電極，得到基于單層修飾MXene的電存儲器件。
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