[發明專利]用于半導體制造和封裝的方法以及在所述方法中使用的裝置

在審

• 申請號: 201910955455.1
• 申請日: 2019-10-09
• 公開（公告）號: CN111029264A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: J·F·克丁
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/24;H01L21/78
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于半導體制造和封裝的方法，所述方法包括：

在襯底的表面上形成一組壁，所述一組壁將所述襯底劃分成多個區段，所述多個區段中的每一者具有至少一個相應的半導體裝置；以及

將模塑料沉積到所述襯底上，所述模塑料至少部分地填充由所述多個區段中的每一者上方的所述一組壁限定的空間，并覆蓋所述多個區段中的每一者的所述相應的半導體裝置。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底是硅晶片，并且其中所述多個區段對應于未分離的裸片。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底是半導體封裝襯底，并且其中所述多個區段對應于未分離的半導體封裝。

4.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

在沉積所述模塑料之后從所述襯底的所述表面去除所述一組壁，其中去除所述一組壁會在所述模塑料的各部分之間形成氣隙。

5.根據權利要求4所述的方法，其中去除所述一組壁包括：

用工具加工所述一組壁；

觸發所述一組壁的自解聚材料解聚；

將所述一組壁溶解在溶劑中；

向所述一組壁施加腐蝕劑；

干蝕刻所述一組壁；

向所述一組壁施加熱量；或

其組合。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述一組壁包含某種材料，在所述材料和所述模塑料都固化之后所述材料比所述模塑料更具順應性。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述一組壁包含膨脹材料。

8.根據權利要求1所述的方法，其中沉積所述模塑料包括用所述模塑料覆蓋所述一組壁，并且其中所述方法進一步包括對所述模塑料進行背面研磨以暴露所述一組壁的頂表面。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述一組壁中的每一壁的寬度在1微米與1毫米之間。

10.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括，其中所述壁防止在所述模塑料固化之前在所述模塑料內形成不均勻性。

11.一種在半導體制造和封裝中使用的裝置，所述裝置包括：

襯底；

在所述襯底上形成的一組壁，所述一組壁將所述襯底劃分成多個區段，所述多個區段中的每一者具有至少一個相應的半導體裝置；以及

模塑料，所述模塑料至少部分地填充由所述多個區段中的每一者上方的所述一組壁限定的空間，并覆蓋所述多個區段中的每一者的所述相應的半導體裝置。

12.根據權利要求11所述的裝置，其中所述襯底是硅晶片，并且其中所述多個區段對應于未分離的裸片。

13.根據權利要求11所述的裝置，其中所述襯底是半導體封裝襯底，并且其中所述多個區段對應于未分離的半導體封裝。

14.根據權利要求11所述的裝置，其中所述一組壁經配置以從所述襯底去除從而在所述模塑料的各部分之間形成氣隙。

15.根據權利要求11所述的裝置，其中所述一組壁包含某種材料，在所述材料和所述模塑料都固化之后所述材料比所述模塑料更具順應性。

16.根據權利要求11所述的裝置，其中所述一組壁包含膨脹材料。

17.根據權利要求11所述的裝置，其中所述一組壁中的每一壁的寬度在1微米與1毫米之間。