[發(fā)明專利]一種基于氧化鎵的三維日盲光電探測(cè)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910949383.X
• 申請(qǐng)日: 2019-10-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110752267A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 單崇新;盧英杰;陳彥成;楊珣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鄭州大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/108
• 分類號(hào): H01L31/108;H01L31/032;H01L31/20;H01L21/363
• 代理公司: 41160 鄭州慧廣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)
• 代理人: 董曉慧

1.一種基于氧化鎵的三維日盲光電探測(cè)器，其特征在于是按照下述步驟進(jìn)行的：

(1)清洗柔性襯底；

(2)采用射頻磁控濺射技術(shù)在柔性襯底上室溫沉積a-Ga₂O₃薄膜；

(3)在a-Ga₂O₃薄膜上利用熱蒸發(fā)技術(shù)在上面蒸發(fā)一層金屬薄膜；

(4)采用光刻技術(shù)在有金屬薄膜的a-Ga₂O₃上制備電極，得到具有MSM結(jié)構(gòu)的2D光電探測(cè)器陣列；

(5)采用剪切折疊技術(shù)，把2D光電探測(cè)器陣列制備成3D光電探測(cè)器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氧化鎵的三維日盲光電探測(cè)器，其特征在于：步驟(1)中的柔性襯底為PET襯底，厚度為0.125毫米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氧化鎵的三維日盲光電探測(cè)器，其特征在于：步驟(2)中射頻磁控濺射所用的靶材為Ga₂O₃陶瓷靶，濺射氣體為氬氣和氧氣混合氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氧化鎵的三維日盲光電探測(cè)器，其特征在于：步驟(3)中制備的金屬薄膜為金薄膜，厚度為60～80納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氧化鎵的三維日盲光電探測(cè)器，其特征在于：步驟(4)中所用的制備的電極為叉指狀，叉指寬度和指間距離均為5微米，指長(zhǎng)為250微米，共5對(duì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于氧化鎵的三維日盲光電探測(cè)器，其特征在于：步驟(5)中所制備的3D光電探測(cè)器為半徑為4微米的半球狀。