[發(fā)明專利]一種高壓p溝道HFET器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910948523.1
• 申請日: 2019-10-08
• 公開（公告）號: CN110649097B
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅謙;姜玄青;文厚東;孟思遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232
• 代理人: 葛啟函

1.一種高壓p溝道HFET器件，包括：襯底(1)、設(shè)置在襯底(1)上表面的緩沖層(2)，設(shè)置在緩沖層(2)上表面的勢壘層(3)和設(shè)置在勢壘層(3)上表面的柵極(4)、源極(5)和漏極(6)；緩沖層(2)和勢壘層(3)在其接觸界面形成異質(zhì)結(jié)，在所述異質(zhì)結(jié)界面上具有二維導(dǎo)電溝道(9)；所述源極(5)和漏極(6)分別設(shè)置在勢壘層(3)上兩側(cè)且均與所述二維導(dǎo)電溝道(9)形成歐姆接觸；所述柵極(4)設(shè)置在源極(5)和漏極(6)之間的勢壘層(3)上且與所述勢壘層(3)形成肖特基接觸；其特征在于，

柵極(4)與漏極(6)之間的勢壘層(3)上具有表面耐壓結(jié)構(gòu)，所述表面耐壓結(jié)構(gòu)包括多個(gè)梳指狀排列的n型半導(dǎo)體塊(7)，其中每個(gè)n型半導(dǎo)體塊(7)沿柵漏方向延伸；梳指狀排列的n型半導(dǎo)體塊(7)與所述柵極(4)與漏極(6)互不接觸，而與源極(5)進(jìn)行電連接，使得梳指狀排列的n型半導(dǎo)體塊(7)與所述源極(5)相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高壓p溝道HFET器件，其特征在于，至少在相鄰n型半導(dǎo)體塊(7)之間填充有絕緣介質(zhì)(8)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述高壓p溝道HFET器件，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)(8)與漏極(6)相分離。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述高壓p溝道HFET器件，其特征在于，設(shè)置在相鄰n型半導(dǎo)體塊(7)之間的絕緣介質(zhì)(8)向所述漏極(6)方向延伸，并且完全填充n型半導(dǎo)體塊(7)與漏極(6)之間間隙，即絕緣介質(zhì)(8)在n型半導(dǎo)體塊(7)靠漏極一側(cè)對n型半導(dǎo)體塊(7)形成包圍，所述絕緣介質(zhì)(8)與漏極(6)相接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述高壓p溝道HFET器件，其特征在于，所述表面耐壓結(jié)構(gòu)單獨(dú)使用或者與場板聯(lián)合使用。