[發明專利]光伏組件熱壓固化方法及熱壓固化所用的壓制設備有效
| 申請號: | 201910948313.2 | 申請日: | 2019-10-01 |
| 公開(公告)號: | CN110676335B | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發明(設計)人: | 石磊;路百超 | 申請(專利權)人: | 秦皇島博碩光電設備股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;B32B37/12;B32B37/10;B32B37/06;B32B37/08 |
| 代理公司: | 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 蘇芳玉 |
| 地址: | 066000 河北省秦*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 組件 熱壓 固化 方法 所用 壓制 設備 | ||
本發明的目的是針對現有技術光伏組件的封裝方法和封裝設備封裝光伏組件時當粘膠劑的粘度大時電池組件邊角處易產生空腔,使得電池組件性能受到影響的不足,提供一種光伏組件熱壓固化所用的壓制設備及光伏組件熱壓固化方法,采用如下光伏組件熱壓固化方法,完成真空加熱加壓步驟的層狀件被移送至下腔二內,固化腔腔體閉合后,向上腔二內充入壓縮氣體,使柔性施壓件壓靠在光伏組件上表面對光伏組件加熱施壓進行固化,采用本發明方法和設備對光伏組件加熱加壓固化,在非真空狀態下對上腔充入壓縮氣體,壓縮氣體自柔性施壓件上方對柔性施壓件施加正壓,當光伏組件受壓時粘膠劑發生緩慢移動,可以減少邊部空腔,減少空穴產生。
技術領域
本發明涉及光伏組件熱壓固化方法及熱壓固化所用的壓制設備。
背景技術
在壓制層狀組件特別是封裝光伏組件時,需將其最小的單元-----光伏組件進行封裝,目前比較常規的封裝方法是首先對光伏組件在粘膠層融化溫度以上進行真空熱壓,而后在粘膠層固化溫度進行真空熱壓固化,相應地,其設備包括兩個前后設置的真空層壓機,每個真空層壓機包括上箱和下箱,上箱和下箱閉合形成密封的腔室,在密封的腔室內設置有柔性施壓件,柔性施壓件將真空層壓機的密封腔室分成上真空室和下真空室,上真空室用于和大氣連通,下真空室用于放置光伏組件,并與真空裝置連通由真空裝置抽真空。采用現有技術結構的光伏組件封裝設備及封裝方法,為去除光伏組件內的氣泡,在層壓制程和固化制程的過程中均采用抽真空的方法對光伏組件進行抽真空,但在抽真空的過程中,由于光伏組件經過熱壓后其溫度達到了粘膠層的融化溫度,因此在真空低溫熱壓時,其邊、角處的粘膠易產生流動將光伏組件中的氣泡擠出的同時,光伏組件的各層間的粘膠局部減少,而由于一些光伏組件所用的粘膠劑粘度高流動性差,因此粘膠減少的部分不易被補足,形成局部空腔部分,在組件邊角及邊緣處產生空泡,形成發泡狀結構,造成質量缺陷,影響光伏組件的性能。
發明內容
本發明的目的是針對采用現有技術光伏組件的封裝方法和封裝設備封裝光伏組件時當粘膠劑的粘度大時電池組件邊角處易產生空腔使得電池組件性能受到影響的不足,提供一種光伏組件熱壓固化方法及熱壓固化所用的壓制設備。
本發明的目的是通過如下技術方案實現的:
光伏組件熱壓固化方法,作為固化腔的密封腔二被柔性施壓件分成相互獨立的上腔二和下腔二,完成真空加熱加壓步驟的層狀件被移送至下腔二內,固化腔腔體閉合后,向上腔二內充入壓縮氣體,使柔性施壓件壓靠在光伏組件上表面對光伏組件加熱施壓進行固化;
腔體閉合后,將層狀組件加熱到其粘膠材料的固化溫度后向上腔二內充入壓縮氣體對層狀組件加熱施壓;
向上腔二內充入氣體的壓力為0.01-0.1Mpa,充氣時間為4-40分鐘,充氣后施壓5-15分鐘;
所述層狀組件為光伏組件;
所述光伏組件為屋頂瓦組件,其粘膠劑為PTU或者POE,固化溫度為155-175℃,壓力為0.03-0.1Mpa;
加熱施壓固化前對層狀組件四周邊沿氣密封閉。
一種光伏組件熱壓固化所用的壓制設備,包括上箱二和下箱二,加熱工作臺二設置在下箱二內,在驅動裝置的驅動下上箱二和下箱二可開啟和閉合,當上箱二和下箱二閉合時組成密封腔二,上箱二和下箱二通過鎖緊裝置鎖緊,在上箱二上固定設置有柔性施壓件二,柔性施壓件二將密封腔二分成獨立的上腔二和下腔二,上腔二與充氣裝置連通,加熱工作臺二設置在下腔二內,所述的層狀組件光伏組件,所述的柔性施壓件二為硅膠板;
所述的鎖緊裝置包括座體二(661)和插銷(662),在上箱二上設置插孔一(663),在座體二的與上箱上插孔一位置相對應處設置插孔二(664),插孔一和插孔二均水平設置,插孔一和插孔二通過插銷連接;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





