[發明專利]攝像裝置和電子設備有效
| 申請號: | 201910948015.3 | 申請日: | 2014-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN110797359B | 公開(公告)日: | 2020-05-26 |
| 發明(設計)人: | 萬田周治;檜山晉;志賀康幸 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 衛李賢;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 裝置 電子設備 | ||
1.一種攝像裝置,包括:
第一光電轉換區,位于基板中;
第二光電轉換區,在所述基板中鄰近于所述第一光電轉換區;
溝槽,位于所述第一光電轉換區和所述第二光電轉換區之間;
第一膜,包括位于所述溝槽中的氧化硅且直接接觸所述溝槽的壁表面;
第二膜,包括位于所述溝槽中的氧化鋁且在所述第一膜上方;
第三膜,包括位于所述溝槽中的氧化鉿且在所述第二膜上方;
第四膜,包括位于所述溝槽中的氧化鉭且在所述第三膜上方。
2.根據權利要求1所述的攝像裝置,還包括第五膜,所述第五膜包括位于所述溝槽中的氧化硅且在所述第四膜上方。
3.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述第一膜還位于所述基板的光接收表面上方。
4.根據權利要求3所述的攝像裝置,其中,所述第二膜位于所述基板的所述光接收表面上方。
5.根據權利要求4所述的攝像裝置,其中,所述第三膜位于所述基板的所述光接收表面上方。
6.根據權利要求5所述的攝像裝置,其中,所述第四膜位于所述基板的所述光接收表面上方。
7.根據權利要求6所述的攝像裝置,其中,在所述第四膜上方還設置有第五膜,并且其中,所述第五膜位于所述基板的所述光接收表面上方。
8.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述第四膜具有位于所述基板的光接收表面上方的第一厚度和位于所述溝槽中的第二厚度,其中,
所述第一厚度大于所述第二厚度。
9.根據權利要求2所述的攝像裝置,還包括光屏蔽膜,在所述基板的光接收表面處,所述光屏蔽膜位于所述第五膜的上方。
10.根據權利要求9所述的攝像裝置,其中,所述光屏蔽膜設置為與所述溝槽相對應。
11.根據權利要求9所述的攝像裝置,其中,所述光屏蔽膜包括鎢或鋁。
12.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述溝槽的深度大于或等于0.25μm并且小于或等于5μm。
13.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述溝槽的寬度大于或等于100nm并且小于或等于1000nm。
14.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述第二膜的厚度大于或等于1nm并且小于或等于25nm。
15.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述第三膜的厚度大于或等于1nm并且小于或等于25nm。
16.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述第二膜和所述第三膜的總厚度大于或等于2nm并且小于或等于100nm。
17.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述第四膜的厚度大于或等于10nm并且小于或等于80nm。
18.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述第一膜的厚度為1nm。
19.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述第二膜、所述第三膜和所述第四膜中的一個或多個包含硅。
20.一種電子設備,其設置有根據權利要求1-19中任一項所述的攝像裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





