[發(fā)明專(zhuān)利]一種圖像傳感器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910945298.6
• 申請(qǐng)日: 2019-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110634901A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余興;蔣維楠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 芯盟科技有限公司;浙江清華長(zhǎng)三角研究院
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 11270 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李梅香;張穎玲

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底具有相對(duì)的第一表面以及第二表面；

所述襯底在靠近所述第二表面的一側(cè)具有感光區(qū)，所述感光區(qū)用于接收入射光照射并產(chǎn)生帶有第一電性和帶有第二電性的光生載流子對(duì)；

所述襯底在靠近所述第一表面的一側(cè)具有與所述感光區(qū)對(duì)應(yīng)的傳輸溝道，所述傳輸溝道用于將帶有第一電性的光生載流子傳輸至特定位置并從所述特定位置導(dǎo)出所述襯底；

在所述襯底的所述第二表面具有朝向所述第一表面延伸的第一溝槽，所述第一溝槽位于所述感光區(qū)的邊緣，在所述第一溝槽內(nèi)設(shè)置有用于加載第一電性電壓的導(dǎo)體材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一電性為負(fù)電，在所述導(dǎo)體材料上加載的所述第一電性電壓的范圍為-0.5～-3V。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一溝槽的側(cè)壁朝向所述感光區(qū)的方向傾斜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一溝槽的側(cè)壁與所述第一表面的夾角范圍為大于等于60°且小于90°。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一溝槽在所述第二表面處的第一開(kāi)口寬度的范圍為0.1～0.8μm，所述第一溝槽底部在所述襯底內(nèi)的第二開(kāi)口寬度的范圍為0.1～0.2μm，所述第一溝槽在所述襯底內(nèi)的深度范圍為0.1～2μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一溝槽在所述第二表面處的第一開(kāi)口寬度小于所述感光區(qū)的寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)體材料包括以下至少一種：TiN-Ti-W疊層、TiN-Ti-Cu疊層、TiN-Ti-Al疊層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述導(dǎo)體材料在所述第二表面處的寬度范圍為0.05～0.4μm，所述導(dǎo)體材料底部在所述襯底內(nèi)的寬度范圍為0.05～0.4μm，所述導(dǎo)體材料在所述襯底內(nèi)的深度范圍為0.09～1.8μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，在所述第一溝槽內(nèi)還設(shè)置有絕緣層，所述絕緣層用于將所述導(dǎo)體材料與所述襯底電性隔離。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器，其特征在于，所述絕緣層的材料包括氧化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，在所述襯底的所述第一表面還具有朝向所述第二表面延伸的第二溝槽，所述第二溝槽的位置與所述第一溝槽的位置相對(duì)應(yīng)；所述第二溝槽為淺隔離溝槽STI，所述第一溝槽為深隔離溝槽DTI。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一溝槽的底部與所述第二溝槽的底部在所述襯底內(nèi)銜接。