[發明專利]陣列透鏡、透鏡天線和電子設備有效
| 申請號: | 201910944492.2 | 申請日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112582803B | 公開(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發明(設計)人: | 楊帆 | 申請(專利權)人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01Q15/02 | 分類號: | H01Q15/02;H01Q19/06 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 熊文杰 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 透鏡 透鏡天線 電子設備 | ||
1.一種陣列透鏡,其特征在于,包括:
多層第一介質層;
多層第一陣列結構,所述第一陣列結構與所述第一介質層沿第一方向交替層疊設置,每一層所述第一陣列結構包括多個呈陣列設置的第一陣列單元,多層所述第一陣列結構中位于同一相對位置的多個所述第一陣列單元在所述第一方向上同軸設置;
其中,位于同一相對位置的多個所述第一陣列單元及其對應的第一介質層共同構成一波導結構,至少兩個所述波導結構在所述第一陣列單元的陣列方向上具有數量漸變的所述第一陣列單元;當電磁波沿所述第一方向入射時,所述電磁波沿所述波導結構邊緣傳播,所述陣列透鏡具有等效折射率漸變規律能夠匯聚所述電磁波并調節所述電磁波的相位延遲。
2.根據權利要求1所述的陣列透鏡,其特征在于,每一層所述第一陣列結構中的多個所述第一陣列單元呈一維陣列設置,且在至少兩個所述波導結構上的所述第一陣列單元的數量由所述一維陣列的陣列中心向陣列邊緣對稱減小。
3.根據權利要求2所述的陣列透鏡,其特征在于,每個所述第一陣列單元的幾何形狀相同且彼此獨立設置,且相鄰兩個所述第一陣列單元的中心距離相等。
4.根據權利要求1所述的陣列透鏡,其特征在于,每一層所述第一陣列結構中的多個所述第一陣列單元呈二維陣列設置;且在至少兩個所述波導結構上的所述第一陣列單元的數量由所述二維陣列的陣列中心線向陣列邊緣對稱減小,多個所述第一陣列單元關于所述陣列中心線對稱設置。
5.根據權利要求4所述的陣列透鏡,其特征在于,每行所述波導結構中的所述第一陣列單元的數量由第一中心線向陣列邊緣對稱減小,每列所述波導結構中的所述第一陣列單元的數量相等,其中,所述第一中心線與所述二維陣列的列方向相同。
6.根據權利要求4所述的陣列透鏡,其特征在于,每行所述波導結構中的所述第一陣列單元的數量由第一中心線向陣列邊緣對稱減小,每列所述波導結構中的所述第一陣列單元的數量由第二中心線向陣列邊緣對稱減小,其中,所述第一中心線與所述二維陣列的列方向相同,所述第二中心線與所述二維陣列的行方向相同。
7.根據權利要求4所述的陣列透鏡,其特征在于,每個所述第一陣列單元的幾何形狀相同且彼此獨立設置,且每行相鄰兩個所述第一陣列單元的第一中心距離相等,每列相鄰兩個所述第一陣列單元的第二中心距離相等。
8.根據權利要求1-7任一項所述的陣列透鏡,其特征在于,所述陣列透鏡包括相背設置的頂層和底層,至少兩個所述波導結構中所述第一陣列單元的數量沿所述陣列透鏡中間層的陣列邊緣向所述頂層或/底層的陣列中心逐層對稱遞減;其中,所述中間層為具有最多所述第一陣列單元的第一陣列結構。
9.根據權利要求8所述的陣列透鏡,其特征在于,所述陣列透鏡還包括匹配層,當至少兩個所述波導結構中所述第一陣列單元的數量沿所述透鏡中間層的陣列邊緣向所述透鏡頂層對稱遞減時,所述匹配層貼合于所述頂層;或,
當至少兩個所述波導結構中所述第一陣列單元的數量沿所述透鏡中間層的陣列邊緣向所述透鏡底層對稱遞減時,所述匹配層貼合于所述底層;
其中,所述匹配層包括:
至少一第二介質層;
至少一第二陣列結構,所述第二介質層與所述第二陣列結構沿所述第一方向交替堆疊設置,其中,所述第二陣列結構包括多個呈陣列設置的匹配單元,位于同一相對位置的多個所述第一陣列單元與位于同一相對位置的至少一所述匹配單元在所述第一方向上同軸設置,同軸設置的至少一個所述匹配單元和多個所述第一陣列單元在陣列方向上的尺寸在所述第一方向上具有漸變規律。
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